"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
РФФИ и Правительство Новосибирской области, 20-42-540009
Дмитриев Д.В. 1, Колосовский Д.А. 1,2, Федосенко Е.В. 1, Торопов А.И. 1, Журавлев К.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: ddmitriev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучено изменение структуры и элементного состава поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме. Показано, что в процессе отжига окисного слоя на поверхности формируется слой InP1-xAsx, возникающий в процессе замещения фосфора мышьяком. Установлена зависимость степени замещения от температуры и времени отжига. При температуре отжига 480oС степень замещения фосфора мышьяком в приповерхностном слое составляет 7%, при температуре 540oС достигает 41%. Время отжига слабо влияет на степень замещения. Ключевые слова: фосфид индия, мышьяк, отжиг, замещение, дифракция.
  1. S. Lee, M. Winslow, C.H. Grein, S.H. Kodati, A.H. Jones, D.R. Fink, P. Das, M.M. Hayat, T.J. Ronningen, J.C. Campbell, S. Krishna. Sci. Rep., 10, 16735 (2020)
  2. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  3. T. Takahashi, Y. Kawano, K. Makiyama, S. Shiba, M. Sato, Y. Nakasha, N. Hara. IEEE Trans. Electron. Dev., 64, 89 (2017)
  4. J. Massies, J.P. Contour. J. Appl. Phys., 58, 386 (1985)
  5. G.J. Davies, R. Heckingbottom, H. Ohno, C.E.C. Wood, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 37, 290 (1980)
  6. W.M. Lau, R.N.S. Sodhi, S. Ingrey. Appl. Phys. Lett., 52, 386 (1988)
  7. R.F.C. Farrow. J. Phys. D: Appl. Phys., 8, 87 (1975)
  8. C.H. Li, L. Li, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 65, 205322 (2002)
  9. В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (2), 204 (2015)
  10. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, E. Placidi, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi. Surf. Sci., 600, 3160 (2006)
  11. G. Hollinger, D. Gallet, M. Gendry, C. Santinelli, P. Viktorovitch. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 832 (1990)
  12. J.M. Moison, M. Bensoussan, F. Houzay. Phys. Rev. B, 34, 2018 (1986)
  13. Q.-K. Xue, T. Hashizume, T. Sakurai. Progr. Surf. Sci., 56, 1 (1997)
  14. R. Averbeck, H. Riechert, H. Schlotterer, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 59, 1732 (1991)
  15. D.V. Dmitriev, N.A. Valisheva, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 475, 012022 (2019)
  16. S. Katsura, Y. Sugiyama, O. Oda, M. Tacano. Appl. Phys. Lett., 62, 1910 (1993)
  17. M. McElhinney, C.R. Stanley. J. Cryst. Growth, 150, 518 (1995)
  18. J. Moulder, W. Stickle, W. Sobol, K.D. Bomben. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Published by Perkin-Elmer Corp., Phys. Electronics Division) Eden Prairie, Minnesota, USA, 1992)
  19. J. Behrend, M. Wassermeier, K.H. Ploog. Surf. Sci., 372, 307 (1997)
  20. K. Reginski, J. Muszalski, V.V. Preobrazhenskii, D.I. Lubyshev. Thin Sol. Films, 267, 54 (1995)
  21. T. Ohno. Surf. Sci., 357-358, 265 (1996)
  22. V.P. LaBella, Z. Ding, D.W. Bullock, C. Emery, P.M. Thibado. J. Vac. Sci. Techn. A, 18, 1492 (2000)
  23. L.-M. Peng, J.M. Cowley. Surf. Sci., 201, 559 (1988)
  24. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  25. A.R. Denton, N.W. Ashcroft. Phys. Rev. A, 43, 3161 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.