Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 10 » Статья стр. 882
<<<>>>
Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al2O3/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51438.37
Байдакова М.В. 1, Берт Н.А. 1, Давыдов В.Ю. 1, Ершов А.В. 2, Левин А.А. 1, Смирнов А.Н. 1, Cокура Л.А. 1, Сресели О.М. 1, Яссиевич И.Н. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: baidakova@mail.ioffe.ru, Nikolay.Bert@mail.ioffe.ru, Valery.Davydov@mail.ioffe.ru, ershov@phys.unn.ru, aleksandr.a.levin@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, sokura@mail.ioffe.ru, sreseliolga@mail.ru, irina.yassievich@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
PDF версия
C применением просвечивающей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и методов рентгеновской дифракции выполнено исследование многослойных наноразмерных структур Al2O3/Ge/Si, полученных методом электронно-лучевого испарения и подвергнутых отжигу в диапазоне температур 700-900oC. Показано, что после термообработки вплоть до наиболее высокой температуры 900oC в образце сохраняется периодическая структура и удовлетворительная планарность слоев. При температуре отжига выше 700oC в исходно аморфных слоях Ge имеет место формирование наноразмерных кристаллитов с бимодальным распределением по размерам. Размер мелких кристаллитов определяется толщиной слоя Ge и температурой отжига. Обнаружена существенная потеря Ge из многослойной структуры после отжига при 900oC и образование в кристаллитах твердого раствора Ge1-xSix с x до 0.07. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, нанокристаллиты Ge, диэлектрическая матрица Al2O3.
  1. G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho, E.-C. Cho, C.-W. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y. Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, K. Lin. Thin Sol. Flms, 511-512, 654 (2006)
  2. D.C. Oertel, M.G. Bawendi, A.C. Arango, V. Bulovic. Appl. Phys. Lett., 87, 213505 (2005)
  3. Y. Shirasaki, G.J. Supran, M.G. Bawendi, V. Bulovic. Nature Photonics, 7, 13 (2013)
  4. A. Dana, I. Akca, A. Aydinli, R. Turan, T.G. Finstad. J. Nanosci. Nanotechnol., 8, 510 (2008)
  5. S. Siontas, D. Li, H. Wang, A.V.P.S. Aravind, A. Zaslavsky, D. Pacifici. Mater. Sci. Semicond. Process., 92, 19 (2019)
  6. D. Lehninger, J. Beyer, J. Heitmann. Phys. Status Solidi A, 215, 1701028 (2018)
  7. A.M. Lepadatu, A. Slav, C. Palade, I.M. Dascalescu, M. Enculesku, S. Iftimie, S. Lazanu, V.S. Teodorescu, M.L. Ciurea, T. Stoica. Sci. Rep., 8, 4898 (2018)
  8. S.H. Hong, M.C. Kim, P.S. Jeong, S.-H. Choi, Y.-S. Kim, K.J. Kim. Appl. Phys. Lett., 92, 093124-1-3 (2008)
  9. S.H. Hong, M.C. Kim, P.S. Jeong, S.H. Choi, K.J. Kim. Nanotechnology, 19, 305203 (2008)
  10. M. Buljan, N. Radic, J. Sancho-Paramon, V. Janicki, J. Grenzer, I. Bogdanovic-Radovic, Z. Siketic, M. Ivanda, A. Utrobiv cic, R. Hubner, R. Weidauer, V. Valev s, J. Endres, T. Car, M. Jerv cinovic, J. Rov sko, S. Bernstorff, V. Holy. Nanotechnology, 26, 065602 (2015)
  11. M.O. Nestoklon, A.N. Poddubny, P. Voisin, K. Dohnalova. J. Phys. Chem. C, 120, 18901 (2016)
  12. N. Nekic, J. Sancho-Parramon, I. Bogdanovic-Radovic, J. Grenzer, R. Hubner, S. Bernstorff, M. Ivanda, M. Buljan. Nanophotonics, 6, 1055 (2017)
  13. Y.Q. Wang, J.H. Chen, W.J. Yoo, Y.-C. Yeo, S.J. Kim, R. Gupta, Z.Y.L. Tan, D.-L. Kwong, A.Y. Du, N. Balasubramanian. Appl. Phys. Lett., 84, 5407 (2004)
  14. S. Parola, E. Quesnel, V. Muffato, J. Bartringer, A. Slaoui. J. Appl. Phys., 113, 053512 (2013)
  15. P. Caldelas, A.G. Rolo, M.J.M. Gomes, E. Alves, A.R. Ramos, O. Conde, S. Yerci, R. Turan. Vacuum, 82, 1466 (2008)
  16. M. Buljan, S.R.C. Pinto, A.G. Rolo, J. Mart-Sanchez, M.J.M. Gomes, J. Grenzer, A. Mucklich, S. Bernstorff, V. Holy. Phys. Rev. B, 82, 235407 (2010)
  17. О.М. Сресели, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, А.И. Лихачев, И.Н. Яссиевич, А.В. Ершов, А.В. Нежданов, А.И. Машин, Б.А. Андреев, А.Н. Яблонский. ФТП, 54, 129 (2020)
  18. L.A. Sokura, V.N. Nevedomskiy, М.V. Baidakova, А.А. Levin, А.V. Belolipetsky, I.N. Yassievich, А.V. Ershov, N.А. Bert. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012135 (2020)
  19. Д.А. Ложкина, Е.В. Астрова, Р.В. Соколов, Д.А. Кириленко, А.А. Левин, А.В. Парфеньева, В.П. Улин. ФТП, 55, 373 (2021)
  20. C. Maunders, J. Etheridge, N. Wright, H.J. Whitfield. Acta Crystallogr. B, 61, 154 (2005)
  21. B. Terlan, A.A. Levin, F. Borrnert, J. Zeisner, V. Kataev, M. Schmidt, A. Eychmuller. Eur. J. Inorg. Chem., 2016, 3460 (2016)
  22. P. Scherrer. Nachr. Konigl. Ges. Wiss. Gottingen, 26, 98 (1918)
  23. A.R. Stokes, A.J.C. Wilson. Proc. Phys. Soc. (London), 56, 174 (1944)
  24. B.R. Rehani, P.B. Joshi, K.N. Lad, A. Pratap. Indian J. Pure Appl. Phys., 44 157 (2006)
  25. J.I. Langford, R.J. Cernik, D. Louer. J. Appl. Phys., 24, 913 (1991)
  26. K. Stoev, K. Sakurai. Rigaku J., 14, 22 (1997)
  27. S.R.C. Pinto, A.G. Rolo, M.J.M. Gomes, M. Ivanda, I. Bogdanovic-Radovic, J. Grenzer, A. Mucklich, D.J. Barber, S. Bernstorff, M. Buljan. Appl. Phys. Lett., 97, 173113 (2010)
  28. M. Wihl, M. Cardona, J. Tauc. J. Non-Cryst. Sol., 8-10, 172 (1972)
  29. S. Gates-Rector, T. Blanton. Powder Diffr., 34, 1 (2019)
  30. E. Huger, F. Straub, J. Stahn, J. Deubener, M. Bruns, H. Schmidt. Sci. Rep., 8, 17607 (2018)
  31. F. Straub, L. Dorrer, T. Geue, J. Stahn, A. Koutsioubas, S. Mattauch, H. Schmidt. Phys. Rev. Lett., 116, 025901 (2016)
  32. K. Koski, J. Holsa, P. Juliett. Thin Sol. Films, 339, 240 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme