"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
Беляков В.А. 1, Макарцев И.В. 1,2, Фефелов А.Г. 1, Оболенский С.В. 1,2, Васильев А.П. 3, Кузьменков А.Г. 3, Кулагина М.М. 4, Малеев Н.А. 4
1НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dragon_bel@mail.ru, ilya0296@gmail.com, fefelovandrey@gmail.com, obolensk@rf.unn.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.r, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, maleev@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs на подложке InP, обладающие удельной крутизной ~1000 мСм/мм, обратным напряжением пробоя >10 В и предельной частотой усиления транзисторов по току 140 ГГц. Также были разработаны HEMT транзисторы на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs на подложке GaAs, выполненные по технологии двойной подзатворной канавки. Транзисторы демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну 520 мСм/мм и пробивное напряжение затвор-сток 14 В. Предельная частота усиления транзисторов по току 120 ГГц. Благодаря увеличенному пробивному напряжению разработанные транзисторы были использованы в монолитных интегральных схемах усилителей мощности миллиметрового диапазона длин волн с выходной мощностью >110 мВт. Ключевые слова: транзистор, HEMT, GaAs, InP, двойная канавка.
  1. J.S. Hong, M.J. Lancaster. IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, 46 (1), 118 (1998)
  2. S.-J. Cho, C. Wang, R.K. Maharjan, N.-Y. Kim. Proceedings of APMC 2012 (Kaohsiung, Taiwan, 2012) p. 4
  3. X.B. Mei, W. Yoshida, Z. Zhou, M. Lange, J. Lee, P.H. Liu, K. Leong, R. Lai, W.R. Deal. Extended Abstracts of the 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sapporo, Japan, 2015) p. 1034
  4. S. Hoshi, H. Moriguchi, M. Itoh, T. Ohshima, M. Tsunotani, T. Ichioka. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 2367 (2003)
  5. Н.А. Малеев, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, С.Н. Малеев, В.А. Беляков, Е.В. Петряков, Ю.П. Кудряшов, Е.Л. Фефелова, И.В. Макарцев, С.А. Блохин, Ф.А. Ахмедов, А.В. Егоров, А.В. Егоров, А.Г. Фефелов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 45 (21), 29 (2019)
  6. S.-J. Cho, C. Wang, N.-Y. Kim. Microelectron. Eng., 113, 11 (2014).
  7. Y.C. Chen, R. Lai, H. Wang, H.C. Yen, D. Streit, R.M. Dia, W. Jones, T. Block, P.H. Liu, T.-W. Huang, Y.C. Chou, K. Stamper. Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials. IEEE, 509 (1997)
  8. Y. Zhong, X. Wang, Y. Su, Y. Cao, J. Zhi, Y. Zhang, X. Liu. J. Semicond., 33, 054007 (2012)
  9. L.F. Lester, P.M. Smith, P. Ho, P.C. Chao, R.C. Tiberio, K.H.G. Duh, E.D. Wolf. IEEE Technical Digest., Int. Electron Dev. Meeting (San Francisco, CA, USA, 1988) p. 172
  10. J.B. Boos, W. Kruppa. Electron. Lett., 27, 1909 (1991)
  11. M.W. Pospieszalski. IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, 37, 1340 (1989)
  12. G. Crupi, D. Schreurs. Academic Press, 467 (2014)
  13. M. Koolen, J. Geelen, M. Versleijen. IEEE Bipolar Circuits Technology Meeting, 189 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.