Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 1999, выпуск 15
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 1999, том 25, выпуск 15
Мосеев Н.В.
Компьютерное моделирование миграции кислорода в HgBa
2
CuO
4+delta
1
Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б., Казаров Р.Э., Самадашвили З.Д.
Каталитическое плазменное анодирование монокриcталлических структур 6H-SiC
5
Журавлев К.С., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Бакаров А.К., Раков Ю.Н., Мякишев Ю.Б.
Применение высокочистых слоев Al
x
Ga
1-x
As в эпитаксиальных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов
8
Пихтин Н.А., Ильин Ю.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Фетисова Н.В.
Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP cуперлюминесцентный диод
16
Давыдов С.Ю., Соломонов А.В.
Упругие свойства нитридов галлия и алюминия
23
Харламов В.Ф., Ануфриев К.М.
Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел
27
Кутеев Б.В., Кострюков А.Ю.
Размножение убегающих электронов в разрядах с многократной инжекцией топливных макрочастиц
33
Белоножко Д.Ф., Григорьев А.И.
Характерное время развития неустойчивости капли, заряженной до рэлеевского предела
41
Пшеничнюк С.А., Юмагузин Ю.М., Бахтизин Р.З.
Энергетические распределения электронов, эмитированных из алмазной пленки под действием сильного поля
46
Дуванов С.М., Батурин В.А.
Исследование профилей имплантированных атомов Ti по глубине нанокристаллической керамики на основе нитрида бора при высоких дозах и потоках облучения и последующем отжиге
53
Колпаков В.А., Колпаков А.И.
Исследование эффекта увлечения атомов кремния "вакансиями", возникающими в расплаве алюминия при облучении его поверхности ионно-электронным потоком
58
Базыль Е.А., Погребняк А.Д., Гриценко Б.П., Соколов С.В., Стайко В.В., Свириденко Н.В., Братушка С.Н.
Изменение свойств титанового сплава ВТ-23, вызванное имплантацией ионов железа и циркония и последующим воздействием низкоэнергетическим сильноточным электронным пучком
66
Чурин С.А.
Образование газовых складок в процессе прессования порошка Y
1
Ba
2
Cu
3
O
7-delta
74
Карманенко С.Ф., Свищев А.А., Семенов А.А., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Нащекин А.В.
Зависимость СВЧ поверхностного сопротивления от структуры и толщины сверхпроводниковых купратных пленок
79
Белов И.А., Иванов А.С., Иванов Д.А., Паль А.Ф., Старостин А.Н., Филиппов А.В.
Распределение частиц по размерам в коагулирующей пылевой плазме
89
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук