Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 15 » Статья стр. 8
<<<>>>
Применение высокочистых слоев AlxGa1-xAs в эпитаксиальных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов
Журавлев К.С.1,2, Торопов А.И.1,2, Шамирзаев Т.С.1,2, Бакаров А.К.1,2, Раков Ю.Н.1,2, Мякишев Ю.Б.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2НПП ОКТАВА, Новосибирск
Поступила в редакцию: 25 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
PDF версия
Cообщается о получении методом молекулярно-лучевой эпитаксии высокочистых слоев твердых растворов AlxGa1-xAs в диапазоне составов 0=< x=< 0.38. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции полученных слоев доминирует линия рекомбинации свободных экситонов (X). Малая ширина линии X, большая величина отношения интенсивности этой линии к интенсивности линии переходов зона-акцептор, а также линейная зависимость интенсивности линии X от плотности мощности возбуждения в диапазоне 1· 10-4-100 V·cm-2 свидетельствуют о низкой концентрации фоновых примесей в данных слоях. Использование полученного материала в псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктурах для мощных СВЧ транзисторов позволило получить транзисторы с удельной насыщенной выходной мощностью 0.9 W/mm на частоте 18 GHz.
  1. Сергеева О. // Электроника. 1997 N 2. C. 39
  2. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  3. Новости СВЧ техники. 1995. N 10. C. 7
  4. Пашковский А.Б. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1986. В. 4. С. 14
  5. Cooper S., Anderson K., Salzman K., Culbertson R., Mason J., Bryant D., Saunier P. // GaAs IC Symposium. 1992. P. 183
  6. Greenberg D.R., del Alamo J.A., Harbison J.P., Florez L.T. // IEEE Electron Device Letters. 1991. V. 12. P. 436
  7. Reynolds D.C., Bajaj K.K., Litton C.W., Yu P.W., Klem J., Peng C.K., Morkoc H., Singh J. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 727
  8. Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 4779
  9. Lee S.M., Bajaj K.K. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 1788
  10. Matsunaga K. et al. // IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 1995. V. 5. P. 402
  11. Elman B.S., Koteles E.S., Zemon S.A., Chi Y.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. V. 5. P. 757
  12. Aoki K., Okuyama Y., Kobayashi T., Yamamoto K. // J. Phys. C. 1979. V. 12. P. 647
  13. Chand N., Chu S.N.G., Jordan A.S., Geva M. // J. Vacuum Sci. Technol. B. 1992. V. 10. P. 807
  14. Chand N., Chu S.N.G., Geva M. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2874
  15. Zhang D.H., Li C.Y., Yoon S.F. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 181. P. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme