Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP cуперлюминесцентный диод
Пихтин Н.А.1, Ильин Ю.В.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Станкевич А.Л.1, Тарасов И.С.1, Фетисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
На базе InGaAsP/InP двойной гетероструктуры раздельного ограничения с широким профилем усиления созданы суперлюминесцентные диоды, обладающие высокой оптической мощностью (40 mW), широким спектром излучения (65 nm по полуширине), низкой глубиной модуляции (<1%). При непрерывном токе накачки 150 mA получен 1 mW суперлюминесцентного излучения на выходе одномодового оптического волокна.
- Youngquist R.C., Carr S., Davies D.E.N. // Opt. Lett. 1987. V. 12. P. 158
- Burns W.K., Chen C.L., Moeller P.P. // IEEE/OSA J. Lightwave Technol. 1983. LT-1. P. 98
- Kaminow I.P., Eisenstein G., Stulz L.W. // IEEE J. Quantum Electron. 1983. V. 19. P. 493
- Kwong N.S.K., Bar-Chaim N., Chen T. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54 (4). P. 298
- Nagai H., Noguchi Y., Sudo S. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54 (18). P. 1719
- Lin C.F. // Electr. Lett. 1991.V. 27. P. 968
- Иванов М.А., Ильинская Н.Д., Ильин Ю.В., Корсакова Ю.А., Лешко А.Ю., Лунев А.С., Лютецкий А.В., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21 (5). С. 70
- Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З. // ФТП. 1987. Т. 21 (7). С. 824
- Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Иванов М.А. // ФТП. 1994. Т. 28 (11). С. 1983
- Пихтин Н.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Халфин В.Б., Шувалова Н.В., Ильин Ю.В., Тарасов И.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23 (6). С. 10
- Гарбузов Д.З., Овчинников А.В., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Халфин В.Б. // ФТП. 1991. Т. 25 (5). С. 928
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.