"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование эффекта увлечения атомов кремния "вакансиями", возникающими в расплаве алюминия при облучении его поверхности ионно-электронным потоком
Колпаков В.А.1, Колпаков А.И.1
1Самарский государственный аэрокосмический университет
Поступила в редакцию: 26 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Установлено, что при облучении структуры жидкий алюминий-кремний (Al-Si) ионно-электронными частицами с энергией до 6 keV возникает эффект замедления процесса растворения Si в алюминии. Приведены механизмы образования избыточной концентрации пустот атомных размеров ("вакансий"), формирования их потока в направлении нормали к поверхности Si и увлечения ими атомов примеси. Экспериментально показано, что в объеме расплава алюминия можно сформировать зоны, полностью свободные от атомов Si и с предельной его растворимостью в алюминии. При этом величина зон легко регулируется параметрами ионно-электронного потока.
  1. Комов А.Н., Колпаков А.И., Бондарева Н.И. // ПТЭ. 1984. N 5. С. 218--220
  2. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. С. 380, 381, 390
  3. Френкель Я,И. Введение в теорию металлов. Л.: Наука, 1972. 250 c
  4. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. С. 175--180
  5. Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов А.А. Основы электронно-лучевой обработки материалов. М.: Машиностроение, 1978. 239 с
  6. Юдин В.В. // Электрон. обраб. матер. 1977. N 3 (33). С. 27--30
  7. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 379 с
  8. Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  9. Валиев К.А., Раков В.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь. 1984. 350 с
  10. Справочник химика. М.: Химия, 1966. Т. 1. 1071 с
  11. Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1962. Т. 2. 608 с
  12. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1974. 400 с
  13. Комов А.Н., Колпаков А.И., Рафаевич Б.Д. // Электрон. техн., 1979. Сер. 7. В. 5 (96). С. 7--10

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.