Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 15 » Статья стр. 49
<<<
Аксиальные гетероструктуры на основе InAs/AlGaAs нитевидных нанокристаллов, полученные с помощью низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии
Российский научный фонд, «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, приоритетного направления деятельности Российского научного фонда «Поддержка молодых ученых», 25-79-10101
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, FSRM2026-0004
Научный комитет Республики Армения, ую поддержку (исследовательский проект № 2
Резник Р.Р. 1,2,3, Андреева А.С.1,2, Котляр К.П.1,2,3, Илькив И.В.1,2,3, Лендяшова В.В.1,2, Гридчин В.О.1,2,3, Манташян П.А.4,5, Сюй А.В.6,7, Кулагина А.С.1,2, Хребтов А.И.1,2, Сошников И.П.2, Большаков А.Д.1,2,6, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Алферовский университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт химической физики им. А.Б. Налбандяна, Ереван, Армения
5Российско-Армянский университет, Ереван, Армения
6Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
7Пермский национальный исследовательский политехнический университет, Пермь, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 6 мая 2026 г.
Принята к печати: 6 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2026 г.
PDF версия
Приводятся результаты экспериментальных исследований формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния с использованием золота в качестве катализатора аксиальных гетероструктурных нитевидных нанокристаллов InAs/AlGaAs, где верхняя часть на основе InAs формируется при температуре подложки, меньшей точки эвтектики для Au-Si и Au-III(Ga, Al, In). Показано, что верхняя часть на основе InAs обладает диаметром, меньшим длины волны де Бройля для данного материала, и сформировалась в вюрцитной кристаллографической фазе. Ключевые слова: III-V соединения, полупроводники, гетероструктуры, нитевидные нанокристаллы, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.
  1. E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson, Chem. Rev.,  119, 9170 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00075
  2. A. Agarwal, G. Misra, K. Agarwal, J. Inst. Eng. India B,  103, 699 (2022). DOI: 10.1007/s40031-021-00671-w
  3. J. Wong-Leung, I. Yang, Z. Li, S.K. Karuturi, L. Fu, H.H. Tan, C. Jagadish, Adv. Mater.,  32, 1904359 (2020). DOI: 10.1002/adma.201904359
  4. T.-Y. Chang, H. Kim, W.A. Hubbard, K.M. Azizur-Rahman, J.J. Ju, J.-H. Kim, W.-J. Lee, D. Huffaker, ACS Appl. Mater. Interfaces,  14, 12488 (2022). DOI: 10.1021/acsami.1c21013
  5. L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian, Nano Lett.,  18, 7217 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03363
  6. R.R. Reznik, I.V. Ilkiv, K.P. Kotlyar, V.O. Gridchin, D.N. Bondarenko, V.V. Lendyashova, E.V. Ubyivovk, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, G.E. Cirlin, Phys. Status Solidi RRL,   16, 2200056 (2022). DOI: 10.1002/pssr.202200056
  7. M.E. Messing, J. Wong-Leung, Z. Zanolli, H.J. Joyce, H.H. Tan, Q. Gao, L.R. Wallenberg, J. Johansson, C. Jagadish, Nano Lett.,  11, 3899 (2011). DOI: 10.1021/nl202051w
  8. D.V. Beznasyuk, E. Robin, M.D. Hertog, J. Claudon, M. Hocevar, Nanotechnology,  28, 365602 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa7d40
  9. M. Paladugu, J. Zou, Y.-N. Guo, X. Zhang, Y. Kim, H.J. Joyce, Q. Gao, H.H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Lett., 93, 101911 (2008). DOI: 10.1063/1.2978959
  10. V.G. Dubrovskii, R.R. Reznik, I.V. Ilkiv, K.P. Kotlyar, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, S.V. Mikushev, G.E. Cirlin, Phys. Status Solidi RRL,  16, 2100401 (2022). DOI: 10.1002/pssr.202100401
  11. А.А. Корякин, Е.В. Убыйвовк, К.П. Котляр, В.В. Лендяшова,Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ,  50 (7), 27 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.07.57466.19742 [A.A. Koryakin, E.V. Ubyivovk, K.P. Kotlyar, V.V. Lendyashova, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 50 (4), 25 (2024).]
  12. V.G. Dubrovskii, R.R. Reznik, N.V. Kryzhanovskaya, I.V. Shtrom, E.D. Ubyivovk, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, Semiconductors,  54, 650 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620060056
  13. Smithells metals reference book, ed. by W.F. Gale, T.C. Totemeier, 8th ed. (Elsevier Butterworth-Heinemann, Amsterdam-Boston, 2004)
  14. A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, K.P. Kotlyar, E.D. Ubyivovk, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, CrystEngComm,  21, 4707 (2019). DOI: 10.1039/C9CE00774A
  15. N.S. Ramgir, K. Subannajui, Y. Yang, R. Grimm, R. Michiels, M. Zacharias, J. Phys. Chem. C,  114, 10323 (2010). DOI: 10.1021/jp909377b
  16. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, S. Crankshaw, Appl. Phys. Lett.,  90, 043115 (2007). DOI: 10.1063/1.2436655
  17. https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/basic.html
  18. M. Royo, M. De Luca, R. Rurali, I. Zardo, J. Phys. D,  50, 143001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa5d8e

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme