Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 15 » Статья стр. 35
<<<>>>
Электролюминесценция квантовых ям InGaAs (1017 nm) в инжекционных гетероструктурах AlGaAs/GaAs, выращенных на подложках Si методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Слипченко С.О.1, Шамахов В.В.1, Кондратов М.И.1, Николаев Д.Н.1, Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: serghpl@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, Mikondratov@mail.ioffe.ru, Dim@mail.ioffe.ru, Podoskin@mail.ioffe.ru, Ivshushkanov@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 4 мая 2026 г.
Принята к печати: 4 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2026 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке кремния выращены инжекционные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с активной областью на основе одной квантовой ямы InGaAs. Изготовлены и исследованы кристаллы со сплошной конструкцией омических контактов. Продемонстрирована электролюминесценция при комнатной температуре на длине волны 1017 nm при накачке плотностью тока до 2 А/сm2 и 4 kА/сm2 в непрерывном и импульсном режимах соответственно. Ключевые слова: газофазная эпитаксия, подложка кремния, квантовая яма, электролюминесценция.
  1. Z. Xiao, W. Liu, S. Xu, J. Zhou, Z. Ren, C. Lee, Adv. Opt. Mater., 11 (20), 2301028 (2023). DOI: 10.1002/adom.202301028
  2. J. Yang, M. Tang, S. Chen, H. Liu, Light Sci. Appl., 12 (1), 16 (2023). DOI: 10.1038/s41377-022-01006-0
  3. M. Jahed, A. Caut, J. Goyvaerts, M. Rensing, M. Karlsson, A. Larsson, G. Roelkens, R. Baets, P. O'Brien, J. Light. Technol., 40 (15), 5190 (2022). DOI: 10.1109/JLT.2022.3172781
  4. J. Rahimi, J. Van Kerrebrouck, B. Haq, J. Bauwelinck, G. Roelkens, G. Morthier, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 28 (3), 1 (2022). DOI: 10.1109/JSTQE.2021.3122552
  5. M. Mtunzi, H. Zeng, L. Bao, C. Chen, J.-S. Park, H. Deng, Y. Wang, H. Jia, J. Li, H. Wang, Y. Hou, M.G. Masteghin, R. Beanland, F. Gardes, J. Moeyaert, T. Baron, M. Tang, A. Seeds, H. Liu, J. Phys. D, 58 (40), 405101 (2025). DOI: 10.1088/1361-6463/ae074b
  6. H. Park, S. Lee, W.S. Han, D. Jung, H. Kim, Laser Photon. Rev., 19 (19), e00574 (2025). DOI: 10.1002/lpor.202500574
  7. J. Huang, Q. Lin, W. Luo, W. Gu, L. Lin, K.M. Lau, Appl. Phys. Lett., 123 (26), 261101 (2023). DOI: 10.1063/5.0179895
  8. H. Liu, C. Jiang, S. Liu, J. Ye, H. Zhai, J. Li, J. Wang, Q. Wang, X. Wei, X. Ren, Opt. Commun., 574, 131214 (2025). DOI: 10.1016/j.optcom.2024.131214
  9. С.О. Слипченко, В.В. Шамахов, М.И. Кондратов, Е.В. Фомин,Д.Н. Николаев, А.В. Мясоедов, Н.А. Берт, Н.А. Пихтин, Письма в ЖТФ, 52 (7), 48 (2026). DOI: 10.61011/PJTF.2026.07.62523.20553 [S.O. Slipchenko, V.V. Shamakhov, M.I. Kondratov, E.V. Fomin, D.N. Nikolaev, A.V. Myasoedov, N.A. Bert, N.A. Pikhtin, Tech. Phys. Lett., 52 (4), 42 (2026). DOI: 10.61011/TPL.2026.04.63200.20553]
  10. Y. Han, Z. Yan, W.K. Ng, Y. Xue, K.S. Wong, K.M. Lau, Optica, 7 (2), 148 (2020). DOI: 10.1364/OPTICA.381745
  11. C. Jiang, H. Liu, J. Wang, X. Ren, Q. Wang, Z. Liu, B. Ma, K. Liu, R. Ren, Y. Zhang, S. Cai, Y. Huang, Appl. Phys. Lett., 121 (6), 061102 (2022). DOI: 10.1063/5.0098264
  12. С.О. Слипченко, В.В. Шамахов, Д.Н. Николаев, Е.В. Фомин,М.И. Кондратов, Н.А. Пихтин, Письма в ЖТФ, 52 (10), 15 (2026). DOI: 10.61011/PJTF.2026.10.62733.20607 [S.O. Slipchenko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, E.V. Fomin, M.I. Kondratov, N.A. Pikhtin, Tech. Phys. Lett., 52 (5), 61 (2026).]
  13. И.С. Шашкин, А.Д. Рыбкин, В.А. Крючков, А.Е. Казакова, Д.Н. Романович, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Квантовая электроника, 52 (9), 794 (2022). [I.S. Shashkin, A.D. Rybkin, V.A. Kryuchkov, A.E. Kazakova, D.N. Romanovich, N.A. Rudova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, Bull. Lebedev Phys. Inst., 50 (1), S18 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623130122]
  14. О.С. Соболева, В.С. Головин, В.С. Юферев, П.С. Гаврина, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, ФТП, 54 (5), 478 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341 [O.S. Soboleva, V.S. Golovin, V.S. Yuferev, P.S. Gavrina, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, Semiconductors, 54 (5), 575 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620050140]
  15. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov, J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017). DOI: 10.1063/1.4975411
  16. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov, J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016). DOI: 10.1063/1.4945321
  17. Y. Han, K.M. Laua, J. Appl. Phys., 128 (20), 200901 (2020). DOI: 10.1063/5.0029804
  18. X. Hu, M. Girardi, Z. Ye, P. Munoz, A. Larsson, V. Torres-Company, Opt. Express, 28 (9), 13019 (2020). DOI: 10.1364/OE.386494
  19. J. Mu, M. Dijkstra, Y.-S. Yong, M. de Goede, L. Chang, S.M. Garcia-Blanco, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 25 (5), 1 (2019). DOI: 10.1109/JSTQE.2019.2908559

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme