"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Модификация нанокластеров Ge в пленках GeOx при изохронных печных и импульсных отжигах
Марин Д.В.1, Володин В.А.1, Горохов Е.Б.1, Щеглов Д.В.1, Латышев А.В.1, Vergnat М.1, Koch J.1, Chichkov B.N.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: marin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изучалось формирование и модификация нанокластеров Ge в пленках GeOx под воздействием импульсных и изохронных печных отжигов. Импульсные отжиги проводились титан-сапфировым лазером с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса порядка 30 fs и KrF эксимерным лазером с длиной волны излучения 248 nm и длительностью импульса 25 ns. Импульсные отжиги стимулировали как кристаллизацию исходных аморфных нанокластеров Ge в пленках GeOx, так и формирование новых нанокластеров. Для предотвращения испарения пленок при воздействии лазерного излучения на них наносился защитный слой SiNxOy. Апробированный подход может быть использован для модификации размера и фазового состава нанокластеров Ge в пленках GeOx.
  1. Sychugov I., Juhasz R., Valenta J., Linnros J. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 94. P. 087405
  2. Volodin V.A., Gorokhov E.В., Marin D.V., Rinnert H., Miska P., Vergnat M. // JETP Lett. 2009. V. 89. P. 76
  3. Ardyanian M., Rinnert H., Devaux X., Vergnat M. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 011902
  4. Ardyanian M., Rinnert H., Vergnat M. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 113106
  5. Ovsyuk N.N., Gorokhov E.B. // JETP Lett. 1988. V. 47. P. 298
  6. Volodin V.A., Gorokhov E.B., Marin D.V., Orekhov D.A. // JETP Lett. 2003. V. 77. P. 485
  7. Gorokhov E.B., Volodin V.A., Marin D.V., Orekhov D.A., Cherkov A.G., Gutakovskii A.K., Shwets V.A., Borisov A.G., Efremov M.D. // Semiconductors. 2005. V. 39. P. 1210
  8. Sheglov D.V., Gorokhov E.B., Volodin V.A., Astankova K.N., Latyshev A.V. // Nanotechnology. 2008. V. 19. P. 245302
  9. Volodin V.A., Gorokhov E.B. Quantum Dots: Research, Technology and Applications --- Ge Nanoclusters in GeO2 Films: Synthesis, Structural Researches and Optical Properties. Ch. 9. / Ed. by Randolf W. Knoss. New York: Nova Science Publishers Inc., 2008. P. 333--372

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.