"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника
Жиляев Ю.В.1, Родин С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Методом хлоридной газофазной эпитаксии получены слои нитрида галлия на подложке сапфира при температуре источника Ga от 890 до 600oC. Все слои прозрачные, имеют гладкую морфологию поверхности. Структурное качество оценивалось по измерению полуширины кривой качания отражения в случае трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, которая для лучших образцов составляет 8 arcmin. Данные по зависимости фотолюминесцентных свойств и кристаллического совершенства GaN от температуры галлиевого источника продемонстрировали, что снижение температуры источника вплоть до 600oC не влияет существенным образом на процесс роста нитрида галлия, несмотря на существенное изменение состава газовой фазы - соотношения GaCl и GaCl3.
  1. Melnik Yu.V., Nikolaev A., Nikitina I., Vassilevski K., Dmitriev V. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V. 482. P. 269
  2. Жиляев Ю.В., Насонов А.В., Раевский С.Д., Родин С.Н., Щеглов М.П., Юсупова Ш.А., Давыдов В.Ю. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 10. С. 6--14
  3. Tietjen J.J., Amik J.A. // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 113. P. 724

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.