Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 9 » Статья стр. 26
<<<>>>
Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники
Илларионов Ю.Ю.1, Векслер М.И.1, Сутурин С.М.1, Федоров В.В.1, Соколов Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nsokolov@fl.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки CaF2 (2-7 монослоев) приборного качества на Si (111). Вольт-амперные характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с такими пленками хорошо соответствовали теоретическим результатам, полученным при корректном учете сохранения поперечного волнового вектора туннелирующих частиц. Согласно расчетам, туннельные токи в структурах с CaF2 ниже, чем в случае оксидов, используемых в полевых транзисторах.
  1. Sugiyama M., Oshima M. // Microelectron. J. 1996. V. 27. N 4--5. P. 361--382
  2. Watanabe S., Maeda M., Sugisaki T., Tsutsui K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. V. 44. N 4B. P. 2637--2641
  3. Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. N 4. P. 666--671
  4. Vexler M.I., Sokolov N.S., Suturin S.M., Banshchikov A.G., Tyaginov S.E., Grasser T. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. Paper N 083716
  5. Crystals with the fluorite structure: electronic, vibrational, and defect properties / Ed. by W. Hayes. Oxford: Clarendon Press, 1974
  6. Depas M., Vermeire B., Mertens P.W., Van Meirhaeghe R.L., Heyns M.M. // Solid-State Electron. 1995. V. 38. N 8. P. 1465--1471
  7. Vexler M.I., Tyaginov S.E., Shulekin A.F. // J. Phys: Condens. Matter. 2005. V. 17. N 50. P. 8057--8068
  8. Сутурин С.М., Банщиков А.Г., Соколов Н.С., Тягинов С.Э., Векслер М.И. // ФТП. 2008. Т. 42. B. 11. C. 1333--1338
  9. Bohr M.T., Chau R.S., Ghani T., Mistry K. // IEEE Spectrum. 2007. V. 44. N 10. P. 29--35
  10. Miranda E., Molina J., Kim Y., Iwai H. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. Paper N 232104
  11. Hou Y., Li M., Yu H., Kwong D. // IEEE Electron Dev. Lett. 2003. V. 24. N 2. P. 96--98
  12. Robertson J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18. N 3. P. 1785--1791

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme