"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поверхностно-барьерные структуры CdSe xTe1- x для солнечных элементов
Павелец А.М.1, Павелец С.Ю.1, Сванидзе Т.М.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Исследованы основные свойства поверхностно-барьерных структур CdSexTe1-x в зависимости от фазового состава. Показано, что твердые растворы CdSexTe1-x с x=0.6/0.8 (ширина запрещенной зоны 1.35/1.4 эВ) объединяют положительные свойства CdSe и CdTe как материалов для солнечной энергетики. Полученные поверхностно-барьерные структуры перспективны для тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов.
  1. С.Ю. Павелец. А. с. N 689483. [Бюлл. открытий и изобр. СССР, 39, 280 (1989)]
  2. А.Б. Алмазов. \it Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов (М., 1966)
  3. Л.В. Прыткина, В.В. Волков, А.Н. Менцер, А.В. Ванюков, П.С. Киреев. ФТП, 2, 611 (1968)
  4. Н.И. Витриховский, И.Б. Мизецкая, Г.С. Олейник. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7, 757 (1971)
  5. М.С. Бродин, Н.И. Витриховский, А.А. Кипень, И.Б. Мизецкая. ФТП, 6, 698 (1972)
  6. В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус. ФТП, 3, 1195 (1969)
  7. С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. УФЖ, 28, 581 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.