Поверхностно-барьерные структуры CdSe xTe1- x для солнечных элементов
Павелец А.М.1, Павелец С.Ю.1, Сванидзе Т.М.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
Исследованы основные свойства поверхностно-барьерных структур CdSexTe1-x в зависимости от фазового состава. Показано, что твердые растворы CdSexTe1-x с x=0.6/0.8 (ширина запрещенной зоны 1.35/1.4 эВ) объединяют положительные свойства CdSe и CdTe как материалов для солнечной энергетики. Полученные поверхностно-барьерные структуры перспективны для тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов.
- С.Ю. Павелец. А. с. N 689483. [Бюлл. открытий и изобр. СССР, 39, 280 (1989)]
- А.Б. Алмазов. \it Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов (М., 1966)
- Л.В. Прыткина, В.В. Волков, А.Н. Менцер, А.В. Ванюков, П.С. Киреев. ФТП, 2, 611 (1968)
- Н.И. Витриховский, И.Б. Мизецкая, Г.С. Олейник. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7, 757 (1971)
- М.С. Бродин, Н.И. Витриховский, А.А. Кипень, И.Б. Мизецкая. ФТП, 6, 698 (1972)
- В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус. ФТП, 3, 1195 (1969)
- С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. УФЖ, 28, 581 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук