Выращены две серии разнесенных сверхрешеток (РСР) GaAs/AlGaAs: 1 - с однородно легированными квантовыми ямами и 2 - с delta-Si-легированными барьерами. Ширина квантовых ям от 33 до 66 Angstrem, барьерных слоев - 250 Angstrem. Уровень легирования N_d~= 2· 10¹⁸ см^-3. delta-слои Si располагались на расстоянии от 30 до 74 Angstrem от гетерограницы. Энергетическое положение пиков спектров фотолюминесценции обнаруживает температурный сдвиг (T=4.2/300 K), соответствующий изменению ширины запрещенной зоны GaAs. Нами рассчитана зонная диаграмма гетероструктуры с delta-Si-легированными барьерными слоями и установлено, что волновая функция основного состояния локализована в слое GaAs. Показано, что спектры фотолюминесценции обусловлены электронными переходами с основного уровня электронов в квантовой яме на уровень тяжелых дырок. Сопоставительный анализ спектров фотолюминесценции и кинетических параметров обеих серий разнесенных сверхрешеток показал лучшее структурное совершенство разнесенных сверхрешеток с delta-легированием. Полуширина линии спектра фотолюминесценции структур 1-й серии 13/21 мэВ, а 2-й - 5/9 мэВ. Подвижности электронов при T=4.2 K в 1-й серии 200/800 см²/В·с, а во 2-й - до 5500 см²/В·с. По спектрам фотолюминесценции и величинам подвижностей для структур с различной шириной квантовых ям найдены поперечные и латеральные размеры островков (шероховатостей) Delta =2.83 Angstrem и Lambda>100 Angstrem соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.