"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al xGa1- xAs
Кадушкин В.И.1, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Выращены две серии разнесенных сверхрешеток (РСР) GaAs/AlGaAs: 1 - с однородно легированными квантовыми ямами и 2 - с delta-Si-легированными барьерами. Ширина квантовых ям от 33 до 66 Angstrem, барьерных слоев - 250 Angstrem. Уровень легирования Nd~= 2· 1018 см-3. delta-слои Si располагались на расстоянии от 30 до 74 Angstrem от гетерограницы. Энергетическое положение пиков спектров фотолюминесценции обнаруживает температурный сдвиг (T=4.2/300 K), соответствующий изменению ширины запрещенной зоны GaAs. Нами рассчитана зонная диаграмма гетероструктуры с delta-Si-легированными барьерными слоями и установлено, что волновая функция основного состояния локализована в слое GaAs. Показано, что спектры фотолюминесценции обусловлены электронными переходами с основного уровня электронов в квантовой яме на уровень тяжелых дырок. Сопоставительный анализ спектров фотолюминесценции и кинетических параметров обеих серий разнесенных сверхрешеток показал лучшее структурное совершенство разнесенных сверхрешеток с delta-легированием. Полуширина линии спектра фотолюминесценции структур 1-й серии 13/21 мэВ, а 2-й - 5/9 мэВ. Подвижности электронов при T=4.2 K в 1-й серии 200/800 см2/В·с, а во 2-й - до 5500 см2/В·с. По спектрам фотолюминесценции и величинам подвижностей для структур с различной шириной квантовых ям найдены поперечные и латеральные размеры островков (шероховатостей) Delta =2.83 Angstrem и Lambda>100 Angstrem соответственно.
  1. B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, I. Walker, R.I. Malik. Appl. Phys. Lett., 53, 296 (1988)
  2. G. Hasnain, B.F. Levine, C.G. Bethea, R.A. Logan, I. Walker, R.I. Malik. Appl. Phys. Lett., 54, 2515 (1989)
  3. B.F. Levine, G. Hasnain, C.G. Bethea, M. Chang. Appl. Phys. Lett., 54, 270 (1989)
  4. M. Migita, T. Uda, O. Kauchisa, M. Shiiki. Заявка EP 0316909 A2, H01L 31/02 G/1C 13/04. \it Semiconductor Optical apparatures.
  5. В.И. Кадушкин. Заявка N 5029920(25) 010023 с приоритетом от 28.02.92
  6. M.A. Herman, D. Bimberg, J.J. Christen. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
  7. А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
  8. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  9. А.В. Войцеховский, В.И. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, 1990)
  10. Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., 1981) т. 1
  11. D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, S.W. Linon, P.W. Yu, J. Singh, W.T. Masselink, R. Fisher, H. Morkos. Appl. Phys. Lett., 46, 51 (1985)
  12. T. Mishima, I. Kasai, M. Morioka, Y. Sawada, Y. Katayama. Surf. Sci., 174, 307 (1986)
  13. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Квантовая механика (М., 1989)
  14. \it Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., 1989)
  15. J.M. Langen, H. Heinrich. Phys. Rev. Lett., 55, 1414 (1985)
  16. I. Bateri, S.L. Wright. J. Apll., 59, 200 (1986)
  17. H. Kroemer. Surf. Sci., 174, 299 (1986)
  18. M. Zahler. Appl. Phys. Lett., 61, 949 (1992)
  19. П.С. Копьев, И.Н. Уральцев, А.П. Эфрос, Д.Р. Яковлев, А.В. Винокурова. ФТП, 22, 424 (1989)
  20. C. Weisbuch, R. Dingle, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Sol. St. Commun., 38, 709 (1981)
  21. Б.Я Бер, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, И.Н. Уральцев, Д.Р. Яковлев. Изв. АН СССР, 49, 1905 (1985)
  22. T. Noda, M. Tanaka, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 57, 1651 (1990)
  23. K. Hirakawa, T. Noda, H. Sakaki. Surf. Sci., 196, 365 (1988)
  24. S. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Natsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1941 (1987)
  25. В.И. Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 27, 1311 (1993)
  26. В.А. Кульбачинский, В.И. Кадушкин, В.Г. Кытин, Е.Л. Шангина. ФТТ, 35, 1755 (1993)
  27. V.A. Kulbachinskii, A.de Visser, V.I. Kadushkin, V.G. Kytin, E.L. Shangina. J. Appl. Phys., 75, 2081 (1994)
  28. Ю. Каваляускас, Г. Кривайте, Л.В. Шаронова, А. Шилейка, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1086 (1993)
  29. A.N. Ghatak, K. Thyagarajan, V.R. Shenoy. IEEE J. Quant. Electrum, 24, 1524 (1988)
  30. S. Sasa, K. Kondo, H. Ishikawa, T. Fujii, S. Muto, S. Hiyamiru. Surf. Sci., 174, 433 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.