"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературный перенос заряда в магнитном поле неравновесными электронами в n-GaAs
Подоксик Э.Е.1, Лукашевич М.Г.1, Мацукевич В.Г.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 20 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Проведен расчет магниторезистивного эффекта теплых неравновесных электронов для полупроводников с изотропной параболической зоной. Результаты расчета сравнивались с измерениями магнитосопротивления n-GaAs в случае проводимости неравновесными электронами, полученными в результате ударной ионизации мелких донорных уровней. Хорошее согласие результатов расчета с экспериментом получается при двух предположениях: время релаксации импульса определяется рассеянием на ионах примеси, а время релаксации энергии имеет более сильную зависимость от энергии, чем при рассеянии акустическими фононами.
  1. D.J. Oliver. Phys. Rev., 127, 1045 (1962)
  2. И. Асаки, Т. Хара. \it Тр. 9 Межд. конф. по физике полупроводников (Л., 1969) с. 833
  3. О.В. Емельяненко, Д.И. Наследов, Д.Д. Недеогло. ФТТ, 15, 1712 (1973)
  4. Е.М. Гершензон, Л.Б. Литвак-Горская, Р.И. Рабинович, Е.З. Шапиро. ЖЭТФ, 90, 248 (1986)
  5. Ж. Канцлерис, Г. Твардаускас. Лит. физ. сб., 25, 81 (1985)
  6. В. Денис, Ж. Кнцлерис, З. Мартунас. \it Электроны в полупроводниках. Тепловые электроны (Вильнюс, 1983) т. 4
  7. H.F. Budd. Phys. Rev., 131, 1520 (1963)
  8. Р. Смит. Полупроводники (М., 1982)
  9. Б. Ридли. \it Квантовые процессы в полупроводниках (М., 1986)
  10. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  11. Б.М. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.