Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Холл-фактор электронов в кристаллах Ge_1-xSi_x при рассеянии на фононах и сплавном потенциале

Кязимзадзе Р.З.¹

¹Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан

Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

PDF версия

Определены экспериментальные значения холл-фактора электронов в кристаллах Ge_1-xSi_x с содержанием кремния до 30 ат% при доминировании рассеяния на акустических колебаниях решетки и сплавном потенциале. Холл-фактор определялся по отношению коэффициентов Холла в слабом и сильном магнитных полях. Экспериментально определенные значения холл-фактора составляют приблизительно 0.95 в германиеподобных кристаллах, 1.00 - в кремниеподобных, 1.05 - в гибридных составах, содержащих примерно 15 ат% Si, и удовлетворительно согласуются с расчетными значениями.

Р. Смит. Полупроводники (М., 1982)
F. Herman, M. Glicksman, R.P. Parmanter. Program. Semicond., 2, 3 (1957)
В.И. Тагиров. \it Полупроводниковые твердые растворы германий-кремний (Баку, Элм, 1983)
Н.А. Агаев, В.В. Мир-Багиров, Г.Х. Аждаров. \it Материалы VII координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний (Баку, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель