"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Основные примесные состояния атомов серебра, замещающих узлы решетки в кристаллах Ge1- xSi x
Кязимзаде Р.З.1
1Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

На основе холловских измерений определены энергии активации акцепторных состояний замещающих узлы решетки атомов Ags в кристаллах Ge1-xSix (0=< x=<0.3). Показано, что энергия активации акцепторных состояний Ags растет линейно с содержанием кремния. В кристаллах с x=< 0.6 Ags ведет себя как трехкратный акцептор, как и в германии. При более высоких содержаниях Si в Ge1-xSix и в самом кремнии Ags является двухкратным акцептором. Обсуждаются вопросы, связанные с расщеплением акцепторных состояний Ags в Ge1-xSix, обусловленным хаотическим распределением компонентов матрицы.
  1. Л. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  2. Б.И. Болтакс, Сюэ-Ши-инь. ФТТ, 2, 2677 (1960)
  3. F.L. Thiel, S.K. Ghandhi. J. Appl. Phys., 41, 254 (1970)
  4. W. Fahrner, A. Goetzberher. Appl. Phys. Lett., 21, 329 (1972)
  5. L.D. Yau, C.T. Sah. Appl. Phys. Lett., 21, 157 (1972)
  6. E. Schibli, A.G. Milnes. Mater. Sci. Eng., 2, 173 (1867)
  7. Г.Х. Аждаров, Р.З. Кязимзаде, В.В. Мир-Багиров. ФТП, 26, 553 (1992)
  8. L. Samuelson. \it Proc. XIII Int. Conf. on Def. Semicond. (USA, California, 1984)
  9. K. Srinivasan, A. Sher, A. Chen. Phys. Rev. B, 33, 1026 (1986)
  10. R. Hall, J.H. Racette. J. Appl. Phys., 35, 379 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.