Вышедшие номера
Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических расплавов
Берт Н.А.1, Куницын А.Е.1, Мильвидская А.Г.1, Мильвидский М.Г.1, Чалдышев В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Исследованы электрические и люминесцентные свойства и структурное совершенство монокристаллов GaSb, выращенных методом Чохральского из расплавов, сильно обогащенных одним из компонентов. Показано, что избыток галлия в расплаве может приводить к формированию в кристалле включений, размером порядка 100 нм с плотностью 109 см-3. При этом матрица GaSb остается кристаллически совершенной, а по своим электрическим и люминесцентным свойствам практически не отличается от материала, выращенного в стехиометрических условиях.