"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света
Томашюнас Р.1, Пятраускас М.1, Вайткус Ю.1, Синюс Я.1, Гашка Р.1, Власкин А.1
1Вильнюсский университет
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Представлены результаты экспериментального исследования фотопроводимости в химически осажденных поликристаллических пленках PbS. Сделаны теоретические оценки полученных результатов. Определено влияние степени термоотжига пленок на рекомбинацию носителей заряда, а также на их подвижность. Получено, что в сильновозбужденных пленках PbS доминирующим механизмом рекомбинации носителей заряда является межзонная ударная рекомбинация в объеме кристаллитов с коэффициентом gammaA~ 5.3· 10-29 см6/с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.