Предложен метод нахождения параметров квантовой ямы (КЯ) в гетероструктуре из ее вольт-фарадных характеристик. Показано, что этим способом можно определять расстояние от КЯ до поверхности полупроводника, поверхностные концентрации основных носителей и легирующей примеси в КЯ, глубину залегания двумерной подзоны, получить оценки "хвостов" плотности состояний в ней. Приводятся результаты экспериментального исследования структур GaAs-In_xGa_1-xAs-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.