"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование квантовых ям C-V-методом
Алешкин В.Я.1, Демидов Е.В.1, Звонков Б.Н.1, Мурель А.В.1, Романов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Предложен метод нахождения параметров квантовой ямы (КЯ) в гетероструктуре из ее вольт-фарадных характеристик. Показано, что этим способом можно определять расстояние от КЯ до поверхности полупроводника, поверхностные концентрации основных носителей и легирующей примеси в КЯ, глубину залегания двумерной подзоны, получить оценки "хвостов" плотности состояний в ней. Приводятся результаты экспериментального исследования структур GaAs-InxGa1-xAs-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.