"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации
Вакуленко О.В.1, Супруненко В.Н.1, Рыжиков В.Д.1
1Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Теоретически исследована температурная зависимость интенсивности люминесценции Iл в полупроводниках с амфотерными примесями при различных значениях подсветки G, эффективности электронно-дырочной рекомбинации Gamma и отношения коэффициентов вероятностей захвата электронов и дырок на нейтральный центр (Cn0/Cp0). При Cp0 >> Cn0 с увеличением G максимум интенсивности люминесценции Imax смещается в высокотемпературную область, а при увеличении Gamma --- в низкотемпературную. Если Cp0=Cn0, то положение Imax не зависит от G. Получена немонотонная зависимость Iл(T) для рекомбинации "зона проводимости-акцептор". Качественно эти результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными, например, на соединениях CdS(Te) и ZbS : Co. Анализ модельной экспериментальной зависимости Iл(T) показывает, что достаточно точные значения глубины залегания акцепторного уровня можно получить только при определенных условиях эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.