Исследованы люминесцентные свойства диодов, полученных ионной имплантацией B в p-Cd_xHg_1-xTe с x=0.38. Проведен сравнительный анализ спектров люминесценции при инжекционном и фотовозбуждении. Установлено, что образующаяся при имплантации область пониженной концентрации некомпенсированных акцепторов существенным образом сказывается на процессах излучательной рекомбинации неравновесных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.