"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция имплантированных слоев Cd0.38Hg0.62Te и диодных структур на их основе
Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А.
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Исследованы люминесцентные свойства диодов, полученных ионной имплантацией B в p-CdxHg1-xTe с x=0.38. Проведен сравнительный анализ спектров люминесценции при инжекционном и фотовозбуждении. Установлено, что образующаяся при имплантации область пониженной концентрации некомпенсированных акцепторов существенным образом сказывается на процессах излучательной рекомбинации неравновесных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.