"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
Рытова Н.С.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Для разных областей плоскости (x, t) получены приближенные решения системы уравнений, описывающей диффузию атомарного водорода в глубь кристалла, одновременное его связывание в комплексы с примесными атомами (их пассивацию) и рекомбинацию в молекулы. Показано, что сильное различие во временах установления равновесия для реакций связывания водорода в комплексы и в молекулы приводит к тому, что при низких температурах даже для больших концентраций примеси существует практически важный диапазон времен диффузии, для которых глубина пассивации определяется процессом образования молекул. Из сопоставления экспериментальных данных с полученным выражением для глубины пассивации определен коэффициент диффузии водорода в GaAs при 250oC, равный D = 10-12 см2/с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.