Проведены исследования экситонных спектров излучения и поглощения при 1.8 K слоистых полупроводников InSe и GaSe, легированных различными родами примесей (Sn, Dy, Но). Установлено, что изменение интенсивности излучения свободных и связанных экситонов обусловлено экранированием кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой. Обнаруженный рост интенсивности излучения свободных экситонов в кристаллах InSe, активированных ионами гольмия, связан с "залечиванием" вакансий металла и халькогенида, а также с усилением межслоевого взаимодействия за счет обменного взаимодействия локальных образований - ионов гольмия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.