"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об определении концетрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений
Пузин И.Б.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Проанализированы причины некорректности применения соотношений (1/C)2=f(V) и (1/C)3=f(V) как для определения концентрации примеси в активных слоях различных типов полупроводниковых приборов, содержащих p-n-переход или барьер Шоттки, так и для определения типа перехода (резкий или плавный) и диффузионного потенциала VD. Показано, что при неоднородном характере распределения примеси более достоверная информация может быть получена с помощью метода вольт-фарадного профилирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.