"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии центров захвата на акустоэлектронное взаимодействие в фотопроводящем сульфиде кадмия
Миргородский В.И.1, Пешин С.В.1
1Институт радиотехники и электроники АН СССР, Фрязино
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Теоретически рассмотрено акустоэлектронное взаимодействие в пьезополупроводниках со свободными носителями заряда, возбуждаемыми оптической подсветкой. На основе анализа кинетики фотопроводимости в высокофоточувствительных кристаллах сульфида кадмия с параметрами, обычно используемыми для акустоэлектронных экспериментальных исследований, показано, что влияние центров захвата на акустоэлектронное взаимодействие из-за их инерционности практически исключено.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.