"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур n-типа
Трифонова М.М., Барышев Н.С., Мезенцева М.П.
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Проведены измерения коэффициента Холла и электропроводности слоев n-MnxHg1-xTe с x=0.095/ 0.15 и концентрациями некомпенсированных доноров не более 2· 1015 см-3, выращенных методом жидкофазной эпитаксии и подвергнутых длительному отжигу в парах ртути, в интервале температур 4.2/ 300 K. Установлено, что наряду с мелкими донорами и акцепторами в них содержатся акцепторные центры с глубоким уровнем, концентрация которых в отдельных слоях может достигать 1014/ 1015 см-3. Путем сравнения экспериментальных данных с расчетами показано также, что в области высоких температур электроны рассеиваются в основном на полярных оптических фононах, при промежуточных температурах на фононах и нейтральных глубоких акцепторах, а при низких температурах - на заряженных донорах и акцепторах; суммарные концентрации доноров и акцепторов в исследованных слоях составляют 5· 1015/ 2· 1016 см-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.