"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О возможном механизме появления отрицательного сопротивления p-n-гетеропереходов с глубокими уровнями
Птащенко А.А.1, Мороз Н.В.1, Будулак В.И.1
1Одесский государственный университет им. И.П. Мечникова
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Исследованы S-образные вольт-амперные характеристики (ВАХ) прямого тока p-n-гетероструктур (ГС) на основе GaAlAs при температурах 90-300 K. До и после срыва ВАХ имели участки вида I=I0 exp (eU/nkT), где n>2 и растет при понижении температуры. Предложена модель появления отрицательного сопротивления ГС, основанная на локальном уменьшении толщины обедненного слоя при перезарядке глубоких центров в результате туннельного захвата носителей заряда. Получено условие появления отрицательного сопротивления. Анализ ВАХ ГС на основе GaAlAs, согласно данной модели, дает значения локальной толщины обедненного слоя в неоднородностях 20-120 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.