"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Равновесные свойства твердых растворов Cd1-xMgxTe
Бейсюк П.П.1, Савицкий А.В.1, Илащук М.И.1, Руснак Н.И.1, Власюк В.И.1, Парфенюк О.А.1
1Черновицкий государственный университет
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Изучены электрофизические свойства полупроводниковых твердых растворов Cd1-xMgxTe, выращенных методом Бриджмена, в зависимости от состава (0=< x =< 0.3). Исследуемые образцы были р-типа проводимости. При 0=< x =< 0.1 концентрация дырок практически не изменялась и соответствовала (3/ 5)· 1015 см-3. Дальнейшее увеличение количества Mg (x>0.1) приводило к переходу кристаллов в полуизолирующее состояние [p=(2/ 6)· 107 см-3]. Предполагается, что такой переход обусловлен компенсирующим действием неконтролируемых примесей и одновременным уменьшением концентрации вакансий кадмия. Показано, что в исследуемых твердых растворах подвижность в значительной мере определяется рассеянием на флуктуациях состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.