Показано, что спектр фононов и механизм рассеяния электронов неоднозначно связаны с составом твердого раствора In_xGa_1-xAs. Обнаружена зависимость частоты, силы осцилляторов TO-фононов In-As и Ga-As в эпитаксиальных слоях (ЭС) In_0.53Ga_0.47As от температуры их выращивания. В интервале температур роста 750-550^oC эти характеристики имеют экстремум при температуре 650^oC, которая также является критической и для процесса рассеяния электронов. При этой температуре роста изменяется масштаб флуктуаций решеточного потенциала. Предполагается, что при изменении температуры кристаллизации происходит изменение характера распределения компонент твердого раствора от хаотического (при 750^oC) через упорядочение к кластерированию. Движущей силой фазовых превращений является энергия упругой деформации, обусловленная различием периодов решеток бинарных соединений, составляющих тройной раствор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.