"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP
Соловьева Е.В.1, Мильвидский М.Г.1, Белогорохов А.И.1, Виноградова Г.И.1, Гогаладзе Д.Т.1, Долгинов Л.М.1, Малькова Н.В.1, Новикова В.М.1, Осипова А.Н.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической проводимости, Москва
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Показано, что спектр фононов и механизм рассеяния электронов неоднозначно связаны с составом твердого раствора InxGa1-xAs. Обнаружена зависимость частоты, силы осцилляторов TO-фононов In-As и Ga-As в эпитаксиальных слоях (ЭС) In0.53Ga0.47As от температуры их выращивания. В интервале температур роста 750-550oC эти характеристики имеют экстремум при температуре 650oC, которая также является критической и для процесса рассеяния электронов. При этой температуре роста изменяется масштаб флуктуаций решеточного потенциала. Предполагается, что при изменении температуры кристаллизации происходит изменение характера распределения компонент твердого раствора от хаотического (при 750oC) через упорядочение к кластерированию. Движущей силой фазовых превращений является энергия упругой деформации, обусловленная различием периодов решеток бинарных соединений, составляющих тройной раствор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.