"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках
Поклонский Н.А.1, Сягло А.И.1, Бискупски Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Университет наук и технологий, Лилль, Франция
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Развита электростатическая модель зависимости термической энергии ионизации водородоподобных примесей E1 от их концентрации N и степени компенсации K при учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронами (дырками). Показано, что изменение E1 с ростом N и K связано с уширением примесной зоны и сдвигом ее к валентной (v) зоне для акцепторов и зоне проводимости (c) для доноров. Сдвиг примесной зоны объясняется уменьшением энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) из-за экранирования ионов. Плотность распределения ионов примеси по кристаллу считалась пуассоновской, а по энергии --- нормальной. Плотности электронных состояний в v- и c-зонах для интервала температур определения E1 принимались как у нелегированного кристалла. Рассчитанные по предложенным формулам значения E1(N,K) согласуются с известными экспериментальными данными для трансмутационно легированных кристаллов Ge. Дано описание зависимости от N и K термической энергии ионизации атомов Zn в p-Ge при переходе их из зарядового состояния (-1) в (-2).
  1. А.Я. Шик. ФТП, 17, 2220 (1983)
  2. Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982) гл. 13, с. 574. [Пер. с англ.: J.M. Ziman. Models of Disorder (London--N.Y.--Melbourne, Cambridge University Press, 1979)]
  3. Н.В. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
  4. А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП, 21, 922 (1987)
  5. J. Monecke, W. Siegel, E. Ziegler, G. Kuhnel. Phys. St. Sol. (b), 103, 269 (1981)
  6. В.Л. Бонч-Бруевич. Изв. вузов. Физика, 28, 98 (1985)
  7. D. Schechter. J. Appl. Phys., 61, 591 (1987)
  8. А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 2217 (1987)
  9. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ЖПС, 64, 367 (1997)
  10. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП, 30, 1767 (1996)
  11. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. St. Sol. (b), 88, K165 (1978)
  12. С.А. Майоров, А.Н. Ткачев, С.И. Яковленко. Изв. вузов. Физика, 35, 10 (1992)
  13. Д. тер Хаар. В сб.: Задачи по термодинамике и статистической физике (М., Мир, 1974) с. 380. [Пер с англ.: D. ter Haar. Problems in thermodynamics and statictical physics, ed. by P.T. Landsberg (London, Pion, 1971)]
  14. Н.А. Поклонский. Изв. вузов. Физика, 27, 41 (1984)
  15. М.И. Чибисов. ЖЭТФ, 93, 1671 (1987)
  16. В.С. Марченко. ЖЭТФ, 94, 46 (1988)
  17. А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП, 29, 2218 (1995)
  18. Л.В. Говор, В.П. Добрего, Н.А. Поклонский. ФТП, 18, 2075 (1984)
  19. T.G. Castner, N.K. Lee, H.S. Tan, L. Moberly, O. Symko. J. Low Temp. Phys. 38, 447 (1980)
  20. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
  21. А.Г. Беда, Ф.М. Воробкало, В.В. Вайнберг, Л.И. Зарубин, И.М. Либезник, В.В. Овчаров. ФТП, 22, 2065 (1988)
  22. Т.М. Лифшиц. ПТЭ, вып. 1, 10 (1993)
  23. Semiconductors: group IV elements and III--V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1991)
  24. А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, И.С. Шлимак, Ф.М. Воробкало, Л.И. Зарубин, И.Ю. Немиш. ФТП, 25, 413 (1991)
  25. А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, Д.В. Шмикк. ЖТФ, 59, 169 (1989)
  26. Е.М. Гершензон, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая. ФТП, 15, 1284 (1981)
  27. Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 15, 1486 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.