Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2Университет наук и технологий, Лилль, Франция
2Университет наук и технологий, Лилль, Франция
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Развита электростатическая модель зависимости термической энергии ионизации водородоподобных примесей E1 от их концентрации N и степени компенсации K при учете экранирования ионов прыгающими по примесям электронами (дырками). Показано, что изменение E1 с ростом N и K связано с уширением примесной зоны и сдвигом ее к валентной (v) зоне для акцепторов и зоне проводимости (c) для доноров. Сдвиг примесной зоны объясняется уменьшением энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) из-за экранирования ионов. Плотность распределения ионов примеси по кристаллу считалась пуассоновской, а по энергии - нормальной. Плотности электронных состояний в v- и c-зонах для интервала температур определения E1 принимались как у нелегированного кристалла. Рассчитанные по предложенным формулам значения E1(N,K) согласуются с известными экспериментальными данными для трансмутационно легированных кристаллов Ge. Дано описание зависимости от N и K термической энергии ионизации атомов Zn в p-Ge при переходе их из зарядового состояния (-1) в (-2).
- А.Я. Шик. ФТП, 17, 2220 (1983)
- Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982) гл. 13, с. 574. [Пер. с англ.: J.M. Ziman. Models of Disorder (London--N.Y.--Melbourne, Cambridge University Press, 1979)]
- Н.В. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
- А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП, 21, 922 (1987)
- J. Monecke, W. Siegel, E. Ziegler, G. Kuhnel. Phys. St. Sol. (b), 103, 269 (1981)
- В.Л. Бонч-Бруевич. Изв. вузов. Физика, 28, 98 (1985)
- D. Schechter. J. Appl. Phys., 61, 591 (1987)
- А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП, 21, 2217 (1987)
- Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ЖПС, 64, 367 (1997)
- Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП, 30, 1767 (1996)
- N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. St. Sol. (b), 88, K165 (1978)
- С.А. Майоров, А.Н. Ткачев, С.И. Яковленко. Изв. вузов. Физика, 35, 10 (1992)
- Д. тер Хаар. В сб.: Задачи по термодинамике и статистической физике (М., Мир, 1974) с. 380. [Пер с англ.: D. ter Haar. Problems in thermodynamics and statictical physics, ed. by P.T. Landsberg (London, Pion, 1971)]
- Н.А. Поклонский. Изв. вузов. Физика, 27, 41 (1984)
- М.И. Чибисов. ЖЭТФ, 93, 1671 (1987)
- В.С. Марченко. ЖЭТФ, 94, 46 (1988)
- А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП, 29, 2218 (1995)
- Л.В. Говор, В.П. Добрего, Н.А. Поклонский. ФТП, 18, 2075 (1984)
- T.G. Castner, N.K. Lee, H.S. Tan, L. Moberly, O. Symko. J. Low Temp. Phys. 38, 447 (1980)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
- А.Г. Беда, Ф.М. Воробкало, В.В. Вайнберг, Л.И. Зарубин, И.М. Либезник, В.В. Овчаров. ФТП, 22, 2065 (1988)
- Т.М. Лифшиц. ПТЭ, вып. 1, 10 (1993)
- Semiconductors: group IV elements and III--V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1991)
- А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, И.С. Шлимак, Ф.М. Воробкало, Л.И. Зарубин, И.Ю. Немиш. ФТП, 25, 413 (1991)
- А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, Д.В. Шмикк. ЖТФ, 59, 169 (1989)
- Е.М. Гершензон, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая. ФТП, 15, 1284 (1981)
- Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 15, 1486 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
