Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe

Власенко А.И.¹, Олих Я.М.¹, Савкина Р.К.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 29 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Представлены результаты акустодинамических исследований электрофизических параметров (эффективной концентрации электронов n=1/eR_H и их холловской подвижности mu_H=R_H/rho) для кристаллов n-Cd_xHg_1-xTe (x~0.22). Показано, что ультразвуковое нагружение (интенсивностью до 0.5·10⁴ Вт/м²) приводит к увеличению значений n и mu_H в области примесной проводимости (T~100 K). Наблюдаемые эффекты объясняются акустостимулированным освобождением (активацией) связанных дефектов донорного типа и соответствующим понижением рассеивающего потенциала на неоднородностях сплава. В рамках предложенной дислокационной модели оценены характерные параметры акустоэлектрического взаимодействия.

Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко, К.А. Мысливец, Я.М. Олих. УФЖ, 35, 468 (1990)
К.А. Мысливец, Я.М. Олих. ФТТ, 32, 682 (1990)
И.В. Островский. Акустолюминесценция и дефекты в кристаллах (Киев. Выща шк., 1995) гл. 4, гл 6
Я.М. Олих, Ю.И. Шавлюк. ФТТ, 38, 468 (1996)
А.В. Любченко, Я.М. Олих. ФТТ, 27, 2505 (1985)
В.А. Калитенко, Я.М. Олих, В.М. Перга. УФЖ, 33, 788 (1988)
Я.М. Олих, Р.К. Савкина. УФЖ, 42, 1385 (1997)
G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhaus. Phys. Rev. B10, 3302 (1974)
А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 1318 (1980)
H.R. Vydynat. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981)
П.И. Баранский, А.Е. Беляев, С.М. Комиренко, Н.В. Шевченко. ФТТ, 32, 2159 (1990)
А.И. Власенко, А.В. Любченко, В.Г. Чалая. ФТП, 30, 377 (1996)
Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984) с. 81
Д. Хирт, И. Лоттэ. Теория дислокаций (М., Наука, 1972) гл. 16
Ю.А. Осипьян, В.Ф. Петренко. В кн.: Физика соединений A^IIB^VI (М., Наука, 1986) с. 35
D. Chattopadhyay, B.R. Nag. Phys. Rev., 12, 5676 (1975)
Б.П. Коман. УФЖ, 32, 908 (1987)
Я.М. Олих. Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников; Киев, 1990 (Киев, Наук. думка, 1990) ч. 2, с. 87

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель