Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n- и p-Si_0.7Ge_0.3 в процессе реакторного облучения

Долголенко А.П.¹

¹Институт ядерных исследований Национальной академии наук, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 15 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Образцы n- и p-типа проводимости твердого раствора кремний-германий с удельным сопротивлением (1/ 2· 10^-3 Ом·см, легированные естественной смесью изотопов фосфора и бора, были исследованы в процессе облучения в активной зоне реактора BBP-M при температуре (200/ 500)^oC. Дозовая зависимость удельного сопротивления и термоэдс образцов описана в рамках теории эффективной среды. Оказалось возможным детально ее вычислить при условии, что кластеры являются эффективными зародышами для осаждения легирующих примесей. Определены объемы захвата кластерами легирующих примесей бора и фосфора в процессе облучения и вычислены среднестатистические радиусы кластеров дефектов и сечение их введения. Показано, что преципитация фосфора в основном уменьшает концентрацию носителей в проводящей матрице образца при облучении, а захват бора изменяет концентрацию носителей в кластерах.

A.P. Dolgolenko, N.D. Marchuk. Proc. XII Int. Conf. on Thermoelectrics (Yokohama, Japan, 1993) p. 66
А.П. Долголенко, Н.Д. Марчук. Весцi АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, 3, 35 (1991)
Н.Д. Марчук, А.П. Долголенко, Н.Н. Колычев. Proc. Int. Conf. on Radiation Materials Science, Alushta, May 22--25, 1990 (Kharkov, Ukraine, 1991) v. 9, p. 113
В.Д. Ахметов, В.В. Болотов. ФТП, 22, 1556 (1988)
L.C. Kimerling, P.D. Drevinsky. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-18, 60 (1971)
L.C. Kimerling. Defects and Radiation Effects in Semiconductors, Ser. 46 (Bristol--London, 1979) ch. 1, p. 56
В.А. Артемьев, В.В. Михнович, С.Г. Титаренко. ФТП, 22, 750 (1988)
Morrel H. Coher, J. Jortner. Phys. Rev. Lett., 30, 15, 696 (1973)
А.П. Долголенко. Радиационные эффекты в кремнии. Препринт КИЯИ-76-23. (Киев, 1976) с. 12
R.S. Walker, D.A. Thompson. Rad. Eff., 37, 113 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель