Исследована полевая зависимость фотопроводимости двухслойных Si : Sb- и Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне с разной толщиной нелегированного (блокирующего) слоя. Концентрация примесей в легированном (активном) слое составляла ~ 10¹⁸ см^-3. Измерения проводились в диапазоне температур T=4-15 K как при больших (Phi~ 10¹⁶ фотон/см²·с), так и малых (Phi<10¹⁴ фотон/см²·с) потоках падающих фотонов. Обнаружен фотовольтаический эффект, проявляющийся в Si : B-структурах с малой толщиной (3 мкм) блокирующего слоя. Установлено, что фотоэдс возникает при энергиях квантов, больших энергии ионизации бора, причем ее величина не зависит от интенсивности фотовозбуждения (при Phi>10¹³ фотон/см²·с) и в пределе низких температур близка к энергии активации прыжковой проводимости varepsilon₃ активного слоя. Фотовольтаический эффект объясняется баллистическим пролетом блокирующего слоя дырками, фотоэмиттированными из контакта, и последующим их остыванием в активном слое, а также наличием потенциального барьера ~varepsilon₃ между активным и блокирующим слоями. С учетом этих факторов развита модель, описывающая основные закономерности в поведении фотоэдс в зависимости от температуры, интенсивности и энергии квантов возбуждающего излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.