"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в области примесного поглощения в Si-структурах с блокированной проводимостью по примесной зоне
Аронзон Б.А.1,2, Асадаускас Л.3,4, Бразис Р.3,4, Ковалев Д.Ю.1, Леотин Ж.3, Рыльков В.В.1,2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики, Москва, Россия
3Laboratoire de Physique de la Matiere Condense, Universite Paul Sabatier, Toulouse Cedex, France
4Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania
Поступила в редакцию: 8 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследована полевая зависимость фотопроводимости двухслойных Si : Sb- и Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне с разной толщиной нелегированного (блокирующего) слоя. Концентрация примесей в легированном (активном) слое составляла ~ 1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур T=4-15 K как при больших (Phi~ 1016 фотон/см2·с), так и малых (Phi<1014 фотон/см2·с) потоках падающих фотонов. Обнаружен фотовольтаический эффект, проявляющийся в Si : B-структурах с малой толщиной (3 мкм) блокирующего слоя. Установлено, что фотоэдс возникает при энергиях квантов, больших энергии ионизации бора, причем ее величина не зависит от интенсивности фотовозбуждения (при Phi>1013 фотон/см2·с) и в пределе низких температур близка к энергии активации прыжковой проводимости varepsilon3 активного слоя. Фотовольтаический эффект объясняется баллистическим пролетом блокирующего слоя дырками, фотоэмиттированными из контакта, и последующим их остыванием в активном слое, а также наличием потенциального барьера ~varepsilon3 между активным и блокирующим слоями. С учетом этих факторов развита модель, описывающая основные закономерности в поведении фотоэдс в зависимости от температуры, интенсивности и энергии квантов возбуждающего излучения.
  1. S.M. Ryvkin. Photoelectric Effects in Semiconductors. (Consultants Bereau, N. Y., 1964)
  2. M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek, W.A. Kleinhans. Appl. Phys. Lett., 51, 406 (1987)
  3. J.E. Huffman, A.G. Crouse, B.L. Halleck, T.V. Downes, T. Herter. J. Appl. Phys., 72, 273 (1992)
  4. S. Pasquier, G. Sirmain, C. Meny, A. Murray, M. Griffin, PAde L. Essaleh, J. Galibert, J. Leotin. Proc. 8th Int. Conf. on "Millimeter and submillimeter waves and applications" (San Diego, 1994) p. 35
  5. S. Pasquier, C. Meny, L. Asadauskas, J. Leotin, B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, V. Conedera, N. Fabre, S. Regolini, C. Morin. J. Appl. Phys. 83, 4222 (1998)
  6. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  7. А.Г. Ждан, А.М. Козлов, С.Н. Клемин, В.В. Рыльков. ПТЭ, вып. 2, 189 (1994)
  8. D.V. Fischer, J.J. Rome. Phys. Rev. B, 27, 4826 (1983)
  9. J.A. Chroboczek, F.H. Pollak, H.F. Staunton. Phyl. Mag. B, 50, 113 (1984)
  10. Б.И. Шкловский. ФТП, 6, 1197 (1972)
  11. Д.И. Аладашвили, З.А. Адамия, К.Г. Лавдовский, Е.И. Левин, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 213 (1989)
  12. S.C. Jain. Germanium-Silicon Strained Layers and Heterostructures. Advances in Electronics and Electron Physics, Suppl. 24 (Academic Press, 1994)
  13. C.G. Van de Walle, R.M. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
  14. J.M. Bass, C.C. Matthai. Semicond. Sci. Technol., 5, 707 (1990)
  15. L. Colombo, R. Resta, S. Baroni. Phys. Rev. B, 44, 5572 (1991)
  16. Е.Б. Гольдгур, Р.И. Рабинович. ЖЭТФ, 84, 1109 (1983)
  17. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (North-Holland, Amsterdam, Oxford, N. Y., Tokyo, 1991)
  18. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, приложение
  19. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
  20. Л.А. Ворожцова, Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич, Ф.М. Исмагилова, А.П. Мельников. ЖЭТФ, 94, 350 (1988)
  21. В.В. Рыльков. ФТП, 22, 1661 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.