"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния
Голикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 1012-1014 см-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si-Si-связей) в нейтральном состоянии (D0), изменение зарядового состояния D0-> D-, переход a-Si : H-> a-Si, рост негомогенности структуры. Показано, как они зависят от исходных структурных и электронных характеристик пленок.
  1. G. Grabosh, D. Borchert, W.R. Fahrer. Abstracts 14th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 1997) p. 8, A. 35
  2. R. Gallone, Y.S. Tsuo, D.W. Baker, F. Zignane. J. Non-Cryst. Sol., 114, 271 (1989)
  3. N. Nakata, S. Sherman, S. Wagner, P.A. Stolk, J.M. Poate. MRS Symp. Pros., 377, 173 (1995)
  4. S.Q. Gu, M.A. Raikh a. P.C. Taylor. Phys. Rev. Lett., 69, 2697 (1992)
  5. О.А. Голикова, Х.Ю. Мавлянов, И.Н. Петров, Р.Р. Яфаев. ФТП, 29, 577 (1995)
  6. О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
  7. О.А. Голикова, М.М. Казанин, О.И. Коньков, В.Х. Кудоярова, Е.И. Теруков. ФТП, 30, 405 (1996)
  8. О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.