"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода
Булярский С.В.1, Сережкин Ю.Н.2, Ионычев В.К.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследуется методика определения параметров глубоких центров по релаксационной задержке лавинного пробоя p-n-перехода. Используемый метод не накладывает ограничений на соотношение концентраций глубоких центров и легирующих примесей и может быть использован в тех случаях, когда вольт-фарадная характеристика образца плохо контролируется, либо эквивалентная схема p-n-перехода является сложной. Это может быть вследствие сильно компенсированных базовых областей, наличия высокоомных слоев или несовершенных омических контактов. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения параметров акцепторного уровня золота в p+-n-n+-структурах с высоким содержанием золота (NAu=0.9Nd).
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. П.В. Акимов, И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. ФТП, 4, 2099 (1970)
  3. Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
  4. Ю.В. Выжигин, Б.Н. Грессеров, Н.А. Соболев. ФТП, 22, 536 (1988)
  5. А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
  6. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
  7. А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.