"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии уровней захвата на токоперенос в структурах Pd--p(n)-CdTe
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd-p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd-n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни ловушек. Для структур Pd-p-CdTe важен полупроводниковый режим двойной инжекции с I~ V2. Серия глубоких уровней захвата, в том числе в интервале 0.75/ 0.83 эВ, ответственна за длительный процесс релаксации фотоэдс и темнового тока после импульса потока H2.
  1. Semiconductors and semimetals (N.Y.-London, Acad. Press, 1978) v. 13
  2. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 4, с. 97
  3. A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni. J. Appl. Phys., 83(4), 2121 (1997)
  4. T. Takebe, J. Saraie, H. Matsunami. J. Appl. Phys., 53(1), 457 (1982)
  5. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, вып. 2, 185 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.