Вышедшие номера
Экситонный волновод и лазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице
Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Козин И.Э.2, Белоусов М.В.1, Бимберг Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 8 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Были проведены исследования оптических свойств структур с островками InAs и узкими квантовыми ямами GaAs в AlGaAs-матрице. Формирование островков InAs производилось путем осаждения слоя InAs с эффективной толщиной менее одного монослоя. Показано возникновение эффекта экситонного волновода и появление генерации при оптической накачке в красной области спектра в структурах без внешнего оптического ограничения слоями с меньшим показателем преломления.