"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия
Иняков В.В.1, Моос Е.Н.1, Шрайнер Ю.А.1
1Рязанская государственная сельскохозяйственная академия им. проф. П.А. Костычева, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследовано влияние излучения лазера на вольт-амперные характеристики и внутренний квантовый выход электролюминесценции после облучения. В результате воздействия при сверхкритических мощностях потока излучения (более 107 Вт/см2) наблюдалось сильное падение квантового выхода люминесценции и резкий рост токов утечек на вольт-амперных характеристиках. Предполагается, что мощное оптическое излучение, возбуждая электронную подсистему примесных атомов, способствует протеканию квазихимических реакций.
  1. Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, В.М. Андреев и др. ФТП, 12, 1054 (1978)
  2. P.D. Dapkus, C.H. Henry. Appl. Phys., 47, 4061 (1976)
  3. B. Rheinlander, G. Oelgart, H. Halfner et al. Phys. St. Sol. (a), 87, 373 (1985)
  4. Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
  5. Т.В. Торчинская, Т.Г. Бердинских, А.Г. Корабаев. ЖТФ, 59, вып.18, 134 (1989)
  6. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981) гл. 8, с. 316
  7. Г.А. Сукач. ФТП, 31, 753 (1997)
  8. А.А. Птащенко. ЖПС, 33, 781 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.