Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия
Иняков В.В.1, Моос Е.Н.1, Шрайнер Ю.А.1
1Рязанская государственная сельскохозяйственная академия им. проф. П.А. Костычева, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Исследовано влияние излучения лазера на вольт-амперные характеристики и внутренний квантовый выход электролюминесценции после облучения. В результате воздействия при сверхкритических мощностях потока излучения (более 107 Вт/см2) наблюдалось сильное падение квантового выхода люминесценции и резкий рост токов утечек на вольт-амперных характеристиках. Предполагается, что мощное оптическое излучение, возбуждая электронную подсистему примесных атомов, способствует протеканию квазихимических реакций.
- Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, В.М. Андреев и др. ФТП, 12, 1054 (1978)
- P.D. Dapkus, C.H. Henry. Appl. Phys., 47, 4061 (1976)
- B. Rheinlander, G. Oelgart, H. Halfner et al. Phys. St. Sol. (a), 87, 373 (1985)
- Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
- Т.В. Торчинская, Т.Г. Бердинских, А.Г. Корабаев. ЖТФ, 59, вып.18, 134 (1989)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981) гл. 8, с. 316
- Г.А. Сукач. ФТП, 31, 753 (1997)
- А.А. Птащенко. ЖПС, 33, 781 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук