"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO-n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характеристики гетероструктур, представляющие интерес для оценки практического использования.
  1. M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin sol. films, 96, 149 (1982)
  2. K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
  3. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
  4. U.Nin, T. Matsuda, H. Sadamtzu, M. Takai. J. Appl. Phys., 53, 457 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.