"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах
Бессолов В.Н.1, Лебедев М.В.1, Zahn D.R.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Physik, TU-Chemnitz,, Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 1 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, метода Кельвина и рамановского рассеяния изучались свойства поверхности n-InP (100), пассивированной сульфидом аммония, растворенным в воде или в трет-бутиловом спирте. Показано, что обе обработки приводят к уменьшению глубины приповерхностной обедненной области, к смещению поверхностного уровня Ферми в направлении зоны проводимости и к увеличению работы выхода электронов с поверхности и энергии ионизации полупроводника, причем обработка в спиртовом растворе дает более сильный эффект, чем обработка в водном растворе. При сульфидировании в спиртовом растворе поверхностный уровень Ферми смещается на 0.2 эВ, а энергия ионизации увеличивается на 0.53 эВ.
  1. H. Ishimura, K. Sasaki, H. Tokuda. Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 405 (1990)
  2. R. Iyer, D.L. Lile. Appl. Phys. Lett., 59, 437 (1991)
  3. H. Oigawa, J. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  4. T.K. Paul, D.N. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991)
  5. A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1063 (1994)
  6. L.F. DeChiaro, C.J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 561 (1992)
  7. C.W. Wilmsen, K.M. Geib, J. Shin, R. Iyer, D.L. Lile, J.J. Pouch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 851 (1989)
  8. Y. Fukuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, T. Ohsawa. J. Appl. Phys., 76, 3059 (1994)
  9. R.W.M. Kwok, W.M. Lau. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 2515 (1992)
  10. T. Chasse, H. Peisert, P. Streubel, R. Szargan. Surf. Sci., 331--333, 434 (1995)
  11. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  12. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  13. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Eng. B, 44, 380 (1997)
  14. R. Hakimi, M.-C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  15. C.S. Sundararaman, S. Poulin, J.F. Currie, R. Leonelli. Can. J. Phys., 69, 329 (1991)
  16. R. Maeckel, H. Baumgaertner, J. Ren. Rev. Sci. Instrum., 64, 694 (1993)
  17. D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, Boca Raton, Ann Arbor, London, Tokyo, 1995)
  18. G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, Berlin, 1996)
  19. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  20. W. Haes, R. Loudon. Scattering of Light by Crystal (Wiley, N.Y., 1978)
  21. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989)
  22. W.M. Lau, R.W.M. Kwok, S. Ingrey. Surf. Sci., 271, 579 (1992)
  23. Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys. Lett., 60, 2669 (1992)
  24. I.K. Han, E.K. Kim, J.I. Lee, S.H. Kim, K.N. Kang, Y. Kim, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Pys., 81, 6986 (1997)
  25. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  26. J. Geurts. Surf. Sci. Rep., 18, 1 (1993)
  27. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci. Eng. B, 44, 376 (1997)
  28. Z. Tian, M.W.C. Dharma-wardana, Z.H. Lu, R. Cao, L.J. Lewis. Phys. Rev. B, 55, 5376 (1997)
  29. L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. J. Phys., 70, 1050 (1992)
  30. W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1216 (1989)
  31. V.N. Bessolov, A.F. Ivankov, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1018 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.