"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe
Воронков Э.Н.1, Шаронов А.Е.1, Колобаев В.В.1
1Московский энергетический институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Показано, что в тонкопленочных фотопреобразователях на основе поликристаллического CdTe под действием излучения происходит изменение хемсорбционного равновесия на границах кристаллитов, что приводит к возникновению фотопамяти в результате изменения поверхностного потенциала и соответственно скорости поверхностной рекомбинации. Этот эффект может явиться причиной нестабильности параметров поликристаллических солнечных элементов и приводить как к ухудшению, так и к улучшению эффективности фотопреобразования. Рассмотрена экспериментальная методика, которая позволяет определять тип доминирующих поверхностных состояний на границах кристаллитов.
  1. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемсорбции (М., Наука, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.