Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки

Зимин С.П.¹, Брагин А.Н.¹

¹Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Demidov State University, Yaroslavl, Russia

Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено изучение влияния кратковременного отжига при температурах 450/550^oC на проводимость пористого кремния, закрытого пленкой металла. Пористый кремний сформирован на подложках p- и n-типа проводимости и имел пористость 16/40% и 5/10% соответственно. Показано, что при отжиге при температурах 500 и 550^oC пористый кремний на p-Si переходит в высокопроводящее состояние. Описано явление релаксации проводимости в закрытых слоях пористого кремния на p-Si после термообработки. Проведен анализ полученных результатов с точки зрения модели пассивации примесных атомов водородом. Показано, что переход алюминий-<пористый кремний> после отжига обладает выпрямляющим действием. Определены параметры потенциального барьера для контактов Al-<пористый кремний> на подложках p- и n-типа.

V. Lehmann, F. Hofmann, F. Moller, U. Gruning. Thin Sol. Films, 255, 20 (1995)
A.J. Read, R.J. Needs, K.J. Nash, L.T. Canham, P.D.J. Calcott, A. Qteish. Phys. Rev. Lett., 69, 1232 (1992)
С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Письма ЖТФ, 24, вып. 6, 45 (1998)
С.П. Зимин, В.С. Кузнецов, Н.В. Перч, А.В. Проказников. Письма ЖТФ, 20, вып. 22, 22 (1994)
К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63(2), 106 (1996)
P. Martin, F. Fernandez, C. Sanchez. Meterials of International Conference "Porous Semiconductors: Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998) p. 243
А.Л. Винке, С.П. Зимин, В.Н. Палашов. Патент РФ N 2054746, приоритет 13.01.93, зарегистрировано 20.02.96
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 5. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Toronto--Singapore, Willey--Interscience Publ., 1981)]
Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982). [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal-semiconductor contacts (Oxford, Clarendon Press, 1978)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель