"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная релаксация твердого раствора железа в фосфиде галлия
Демидов Е.С.1, Карзанов В.В.1, Громогласова А.Б.1, Морозкин О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Методами электонного парамагнитного резонанса и эффекта Холла изучались процессы низкотемпературной релаксации твердого раствора железа в фосфиде галлия, а также профили распределения парамагнитных центров железа в GaP: A-центра (g=2.02) и B-центра (g=2.133). Полученные данные согласуются с тем, что A-центры соответствуют атомам железа в положении замещения, т. е. Fes3+(Ga) (3d5), в то время как B-центры - это межузельные нейтральные атомы железа, т. е. Fei0 (3d8). В процессе низкотемпературной релаксации твердого раствора GaP : Fe в интервале температур 293/ 800 K A-центры устойчивы к отжигам, тогда как интенсивность спектра электронного парамагнитного резонанса от B-центра имеет сложную кинетику, которая качественно совпадает с кинетикой отжига парамагнитных центров Fei0 в кремнии.
  1. Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  2. L.S. Kimmerling, J.L. Benton. Physica, 116B, 297 (1983)
  3. С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках (М., Металлургия, 1988)
  4. Е.С. Демидов. Автореф. докт. дис. (Н.Новгород, 1994)
  5. П.В. Павлов, Е.С. Демидов, Г.В. Зорина. ФТП, 21, 984 (1987)
  6. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, П.В. Павлов. ФТП, 23, 548 (1989)
  7. В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
  8. Д.Т. Джафаров. В сб.: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями (М., Металлургия, 1987) с. 95.
  9. S.J.C.H.M. Gisbergen, A.A. Ezhevskii, N.T. Son, T. Gregokievich, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev., 49, 10 999 (1993).
  10. В.Ф. Мастеров, С.И. Марков, Л.П. Пасечник, В.К. Соболевский. ФТП, 17, 1130 (1983)
  11. Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. ФТП, 19, 1629 (1985)
  12. П.В. Павлов, Е.С. Демидов, В.В. Карзанов. ФТП, 26, 1118 (1992)
  13. K. Suto, J. Nishisava. J. Phys. Soc. Japan., 26, 1556 (1969)
  14. K. Suto, J. Nishisava. J. Appl. Phys., 43, 2247 (1972)
  15. Ф.С. Шишияну, В.Г. Георгиу. ФТП, 11, 2188 (1976)
  16. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., ФМЛ, 1961)
  17. Е.С. Демидов. ФТТ, 34, 37 (1992)
  18. Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.