"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Кудряшов В.Е.1, Туркин А.Н.1, Юнович А.Э.1, Ковалев А.Н.2, Маняхин Ф.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследованы спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=0.15 мкА--150 мА. Сравнительно большой квантовый выход излучения при низких J (Jmax=0.5/ 1 мА) обусловлен малой вероятностью безызлучательного туннельного тока. Вольт-амперные характеристики J(V) исследованы при J=10-12-10-1 А; они аппроксимированы функцией V=varphi k+mkT[ln(J/J0)+(J/J1)0.5]+J· Rs. Часть V~(J/J1)0.5 и измерения динамической емкости свидетельствуют о влиянии i-слоев, прилегающих к активному слою. Спектры описаны моделью двумерной плотности состояний с экспоненциальными хвостами в МКЯ. По коротковолновому спаду спектра голубых диодов определено повышение T при увеличении J: T=360-370 K при J=80-100 мА. В зеленых светодиодах обнаружена полоса при 2.7--2.8 эВ, проявляющаяся при больших J; предлагается объяснение этой полосы разделением фаз с различным содержанием In в InGaN.
  1. K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/11; http://nsr. mij. mrs. org/1/11
  2. K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Refer. Rep. J. of Eur. Ceram. Soc., 17, 2033 (1997)
  3. К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  4. A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. MRS Symp. Proc., 449, 1167 (1997).
  5. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  6. A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, K.G. Zolina, A.N. Kovalev, F.L. Manyakhin. Proc. 2nd Symposium on III-V Nitride Materials and Processes, 97--34 of Electrochem. Soc., NJ, 83 (1998)
  7. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt, 2, L797 (1995)
  8. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1332 (1995)
  9. F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 2/11; http://nsr.mij.org/2/11
  10. Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
  11. 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan (1997)
  12. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komari, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, pt. 2, L382(1997)
  13. A. Hangleiter, S. Heppel, J.S. Im, H. Kollmer, J. Off. EGW-3, 1998, Abstr. 52-I
  14. H. Sakai, T. Koide, H. Suzauki, M. Yamaguchi, S. Yamasaki, M. Koike, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1429 (1995)
  15. M. Koike, N. Koide, S. Asami, J. Umezaki, S. Nagai, S. Yamasaki, N. Shibata, H. Amano, I. Akasaki. Proc. of SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 3002 (1997)
  16. А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Письма ЖТФ, 22 (23), 82 (1996)
  17. Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32, 63 (1998)
  18. A.V. Dmitriev, A.I. Oruzheinikov. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/46; htt://nsr.mij.mrs.org/1/46
  19. K. Domen, R. Soejima, A. Kuramata, T. Tanahashi. MRS Int. J. of Nitride Semic. Res., 3/2; http://nsr.mij.mrs.org/3/2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.