Показана возможность существования невырожденных двумерных состояний с электронным типом дисперсии в инверсных гетеропереходах типа CdTe-HgTe или XdTe-alpha-Sn. Эти состояния аналогичны поверхностным состояниям в бесщелевых полупроводниках и связаны с описанными ранее пограничными состояниями зоны проводимости нормальных (неинверсных) гетеропереходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.