Методами DLTS (нестационарной спектроскопии глубоких уровней), TSCAP (термостимулированной емкости) и модуляционным, основанным на облучении образца пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследовался DX-центр в легированных Si слоях Al_xGa_1-xAs с x<=0.22. Изохронный отжиг, проведенный с приложенным напряжением обратного смещения U₀<0 и без него U₀=0, показал, что DX-центр имеет две конфигурации - стабильную и метастабильную. Стабильная конфигурация характеризуется "self-trapped" уровнем с энергией термической эмиссии E₂=442 мэВ и пороговой энергией фотоионизации hnu<= 0.8 эВ и согласуется с моделью DX-центра с большой решеточной релаксацией (LLR). Метастабильная конфигурация, ответственная за эффект остаточной фотопроводимости, характеризуется "ordinary" уровнем с энергией термической эмиссии E₂^*~= 200 мэВ и пороговой энергией фотоионизации hnu<= 0.5 эВ и согласуется с моделью малой решеточной релаксации (SLR). Кроме того, обнаружен еще один глубокий уровень, не связанный явно с DX-центром, имеющий энергию активации E₁=117 мэВ и сечение захвата для электронов sigma_n1=2.74· 10^-17 см^-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.