"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
Брунков П.Н., Евтихиев В.П., Конников С.Г., Котельников Е.Ю., Папенцев М.Г., Соболев М.М.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Методами DLTS (нестационарной спектроскопии глубоких уровней), TSCAP (термостимулированной емкости) и модуляционным, основанным на облучении образца пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследовался DX-центр в легированных Si слоях AlxGa1-xAs с x<=0.22. Изохронный отжиг, проведенный с приложенным напряжением обратного смещения U0<0 и без него U0=0, показал, что DX-центр имеет две конфигурации --- стабильную и метастабильную. Стабильная конфигурация характеризуется "self-trapped" уровнем с энергией термической эмиссии E2=442 мэВ и пороговой энергией фотоионизации hnu<= 0.8 эВ и согласуется с моделью DX-центра с большой решеточной релаксацией (LLR). Метастабильная конфигурация, ответственная за эффект остаточной фотопроводимости, характеризуется "ordinary" уровнем с энергией термической эмиссии E2*~= 200 мэВ и пороговой энергией фотоионизации hnu<= 0.5 эВ и согласуется с моделью малой решеточной релаксации (SLR). Кроме того, обнаружен еще один глубокий уровень, не связанный явно с DX-центром, имеющий энергию активации E1=117 мэВ и сечение захвата для электронов sigman1=2.74· 10-17 см-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.