"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
Карумидзе Г.С.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Рассмотрены вопросы, связанные о формированием радиационных дефектов в кремнии, выращенном методом Чохральского и облученном нейтронами реактора (флюенс =< 5·1018 см-2). Установлено, что проведение облучения кремния нейтронами при низких температурах (100, 120 K) позволяет снизить концентрацию кислородсодержащих дефектов в результате подавления участия кислорода в их образовании. Сделано заключение о возможности получения методом НТЛ высококачественных монокристаллов кремния n-типа большого диаметра (<= 100 мм) на основе кремния, выращенного методом Чохральского, с высоким исходным содержанием кислорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.