"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым p+-затвором
Абдуллаев X.О., Корольков В.И., Павловский М.В., Руссу Е.В., Табаров Т.С.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Приведены результаты исследования планарных фотосопротивлений (ПФС) на основе InGaAs/InP (спектральный диапазон 1.0-1.6 мкм). Для выяснения механизмов усиления фототока изучены зависимости коэффициента усиления G от интенсивности падающего света и температуры как ПФС традиционной конструкции, так и ПФС со скрытым затвором в канале --- p+-областью, расположенной напротив освещаемой поверхности. Показано, что аномально большие значения G, существенно превышающие отношение подвижностей электронов и дырок, и сильная зависимость G от интенсивности падающего света обусловлены влиянием поверхности, приводящим к пространственному разделению электронов и дырок. Установлено, что поперечное электрическое поле затвора приводит к уменьшению поверхностного изгиба зон, благодаря чему G уменьшается, приближаясь к значению, близкому к mun/mup.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.