"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Методом емкостной спектроскопии (НЕСГУ) исследован отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в верхней половине запрещенной зоны n-InP (Tотж=<315oC). Показано, что основные стадии восстановления концентрации электронов (120 и 210-250oC) коррелируют с отжигом центра E2 (0.2 эВ) и конфигурационно-бистабильного M-центра соответственно. Установлено, что кинетика отжига E2 близка к экспоненциальной, а скорость реакции зависит от зарядового состояния центра. Отжиг M-центра не описывается простой экспоненциальной зависимостью. Сделано заключение, что характер отжига M-центра определяется эффективностью его взаимодействия с присутствующими в образцах термодинамически неравновесными технологическими дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.